近期，網(wǎng)絡(luò)上流傳一段文字，稱(chēng)最新出廠的殲-20隱身戰(zhàn)斗機(jī)已升級(jí)為山東大學(xué)研發(fā)的有源碳化硅雷達(dá)，探測(cè)距離從400-600公里提升至1000-1200公里。這一消息引發(fā)了軍事愛(ài)好者和評(píng)論員的廣泛討論。

報(bào)道指出，采用碳化硅材料制作的有源相控陣?yán)走_(dá)（AESA）使探測(cè)距離大幅提升，對(duì)F-35等西方隱身戰(zhàn)斗機(jī)的作戰(zhàn)優(yōu)勢(shì)構(gòu)成挑戰(zhàn)。這不僅展示了中國(guó)在高端半導(dǎo)體材料自主研發(fā)方面的能力，還可能改變未來(lái)的空戰(zhàn)戰(zhàn)術(shù)格局。

然而，從常識(shí)來(lái)看，僅憑上述信息就能發(fā)現(xiàn)真實(shí)性問(wèn)題。山東大學(xué)并非專(zhuān)門(mén)從事雷達(dá)研發(fā)的機(jī)構(gòu)。《南華早報(bào)》在其專(zhuān)欄中多次提到中國(guó)軍事技術(shù)的發(fā)展，但其中許多細(xì)節(jié)常被夸大，導(dǎo)致誤導(dǎo)。

有源相控陣?yán)走_(dá)的核心在于其收發(fā)模塊（T/R模塊），這些模塊依賴高性能的半導(dǎo)體材料和芯片。目前，有源相控陣?yán)走_(dá)的T/R模塊通常使用砷化鎵（GaAs）與氮化鎵（GaN）這兩種材料。通過(guò)分析可以確認(rèn)，殲-20的有源相控陣?yán)走_(dá)最初裝備了砷化鎵材料，近年來(lái)則已替換為新一代的氮化鎵雷達(dá)。氮化鎵雷達(dá)具備更精準(zhǔn)的信號(hào)處理能力，提升了雷達(dá)的探測(cè)精度及抗干擾能力。氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步使得中國(guó)的有源相控陣?yán)走_(dá)實(shí)現(xiàn)了更為緊湊和輕量的設(shè)計(jì)，同時(shí)性能更高。

未來(lái)，有源相控陣?yán)走_(dá)的升級(jí)方向?qū)⑹切乱淮难趸壚走_(dá)，但這一技術(shù)仍處于理論研究和初步探索階段，預(yù)計(jì)最早會(huì)應(yīng)用于第六代戰(zhàn)斗機(jī)上。關(guān)于《南華早報(bào)》提到的碳化硅雷達(dá)，實(shí)際應(yīng)用案例并不多。盡管該報(bào)道提到山東大學(xué)研制的碳化硅材料具有極高的擊穿電壓，約為3MV/cm，是氮化鎵材料的十倍，并推測(cè)新型雷達(dá)的探測(cè)距離可能增至三倍，但這樣的推論缺乏嚴(yán)謹(jǐn)性。

在實(shí)際應(yīng)用中，碳化硅通常作為有源相控陣?yán)走_(dá)T/R模塊的襯底材料，而在其表層則是氮化鎵半導(dǎo)體。因此，僅憑碳化硅作為基底就得出新型雷達(dá)具備1000公里探測(cè)距離的結(jié)論并不科學(xué)。

中國(guó)的雷達(dá)技術(shù)在世界范圍內(nèi)處于領(lǐng)先地位，絕不遜色于美國(guó)的最新雷達(dá)技術(shù)。隨著軍事科技迅速發(fā)展，國(guó)際間的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，其他國(guó)家也在加大科研力度。我們也在不斷增強(qiáng)科研投入，以保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)。未來(lái)，我國(guó)的戰(zhàn)斗機(jī)雷達(dá)將繼續(xù)取得更大突破，為國(guó)家安全與發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)保障。期待殲-20在天空中展現(xiàn)出更強(qiáng)大的戰(zhàn)斗力，并在未來(lái)創(chuàng)造更多輝煌成就。