近期，多國(guó)芯片巨頭上調(diào)產(chǎn)品報(bào)價(jià)。過(guò)去半年，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，特別是最近一個(gè)月，漲價(jià)消息越發(fā)密集。

三星電子在9月下旬發(fā)出第四季度提價(jià)通知，計(jì)劃將部分DRAM價(jià)格上調(diào)15%至30%，NAND閃存價(jià)格上調(diào)5%至10%。NAND閃存控制芯片大廠群聯(lián)日前恢復(fù)報(bào)價(jià)，價(jià)格漲幅約10%。西部數(shù)據(jù)也在9月16日通知客戶將逐步提高所有HDD產(chǎn)品的價(jià)格。9月上旬，閃迪宣布將面向所有渠道和消費(fèi)者客戶的NAND產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)10%以上。

涉及漲價(jià)的存儲(chǔ)芯片種類大致涵蓋DRAM與NAND兩種類型。DRAM是一種易失性半導(dǎo)體儲(chǔ)器，讀取速度快但斷電后數(shù)據(jù)消失；NAND屬于非易失性存儲(chǔ)，斷電后數(shù)據(jù)仍能穩(wěn)定留存，常用于存放海量數(shù)據(jù)和模型參數(shù)，如SSD、HDD等。

摩根士丹利最新研報(bào)預(yù)測(cè)，人工智能熱潮下，存儲(chǔ)芯片行業(yè)將迎來(lái)一個(gè)“超級(jí)周期”。OpenAI與三星電子、SK海力士達(dá)成初步供貨協(xié)議，兩家韓國(guó)公司將為“星際之門”項(xiàng)目供應(yīng)存儲(chǔ)芯片。韓國(guó)總統(tǒng)辦公室表示，OpenAI計(jì)劃在2029年訂購(gòu)90萬(wàn)片存儲(chǔ)芯片晶圓。SK海力士指出，這一需求預(yù)測(cè)是目前全球高帶寬存儲(chǔ)芯片（HBM）產(chǎn)能的兩倍多，凸顯了“星際之門”項(xiàng)目規(guī)模之大及全球人工智能發(fā)展速度。

在DRAM、HBM普遍昂貴且供給緊張的情況下，NAND有望成為AI時(shí)代新一輪主流存儲(chǔ)選擇。三星電子已著手開(kāi)展HBF高帶寬閃存產(chǎn)品的概念設(shè)計(jì)等前期開(kāi)發(fā)工作。HBF是一種類似HBM的專為AI領(lǐng)域設(shè)計(jì)的新型存儲(chǔ)器架構(gòu)，使用NAND閃存代替DRAM。韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院教授金正浩指出，當(dāng)前的人工智能瓶頸在于內(nèi)存帶寬和容量，速度較慢但容量更高的NAND閃存可以作為補(bǔ)充。

摩根士丹利預(yù)計(jì)，到2026年NAND閃存將出現(xiàn)高達(dá)8%的供應(yīng)缺口。群聯(lián)電子董事長(zhǎng)潘健成表示，SSD將成為大容量存儲(chǔ)的主流選擇，但由于SSD新增容量不足，預(yù)期2026年起NAND閃存將嚴(yán)重短缺，未來(lái)十年供應(yīng)都將緊張。

目前，NAND Flash價(jià)格漲幅已反超DRAM。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)價(jià)，2025年第三季度，NAND Flash市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲5%，DRAM市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲19.2%。9月單月來(lái)看，NAND Flash市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲4.7%，DRAM市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲2.6%。

TrendForce預(yù)計(jì)25Q4 NAND Flash價(jià)格將上漲5-10%。中信證券認(rèn)為，后續(xù)數(shù)據(jù)中心eSSD漲價(jià)幅度有望超市場(chǎng)預(yù)期，2026年大容量QLC SSD有望出現(xiàn)爆發(fā)性增長(zhǎng)。