曝臺積電放棄采購ASML頂級光刻機 轉向成本更低方案
隨著技術節(jié)點進一步微縮至1.4納米及1納米，臺積電面臨新的制造瓶頸。該公司決定放棄采購單價高達4億美元的ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機。理論上，采購荷蘭ASML公司尖端的高數(shù)值孔徑EUV光刻機是解決該問題的直接方案，但最新報道指出，臺積電并未選擇這一方案，而是決定采用“光掩模護膜”技術作為替代方案，以推進其2納米等先進制程的研發(fā)與生產(chǎn)。
這項決策的核心考量在于成本。一臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機的售價高達4億美元，是一筆巨大的資本開支。臺積電認為，該設備目前帶來的價值與其高昂的價格并不匹配。因此，公司選擇了一條成本更低的路徑，即在現(xiàn)有標準EUV光刻機上，通過引入光掩模護膜，保護光掩模在光刻過程中免受灰塵等微粒污染，從而實現(xiàn)更精密的芯片制造。
盡管光掩模護膜方案能夠規(guī)避巨額的設備采購費用，但它也帶來了新的技術挑戰(zhàn)。使用標準EUV光刻機生產(chǎn)1.4納米和1納米級別的芯片，需要進行更多次曝光才能達到所需精度。這意味著光掩模的使用頻率會大幅增加，不僅拖慢生產(chǎn)節(jié)奏，還可能對芯片良率構成潛在風險。臺積電需要通過大量的“試錯”來優(yōu)化生產(chǎn)的可靠性，這無疑是一場技術上的攻堅戰(zhàn)。
臺積電拒絕采購高數(shù)值孔徑EUV光刻機的另一個原因可能在于其供應量的限制。據(jù)了解，ASML每年僅能生產(chǎn)五到六臺此類設備。對于需要采購多達30臺標準EUV光刻機以滿足蘋果等大客戶龐大需求的臺積電而言，將巨額資金投入到少數(shù)幾臺設備上，并不符合其長期產(chǎn)能規(guī)劃。
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