光刻技術(shù)是推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅(qū)動力之一。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及其合作者利用冷凍電子斷層掃描技術(shù),首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為,并基于此開發(fā)出一種可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)研究成果發(fā)表于《自然·通訊》。
顯影是光刻過程中的關(guān)鍵步驟之一,通過顯影液溶解光刻膠的曝光區(qū)域,將電路圖案精確轉(zhuǎn)移到硅片上。光刻膠的質(zhì)量直接影響到電路圖案的準(zhǔn)確性和芯片良率。長期以來,光刻膠在顯影液中的微觀行為一直是個謎,工業(yè)界只能通過反復(fù)試錯來優(yōu)化工藝,這成為制約7納米及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。
為解決這一難題,研究團(tuán)隊(duì)首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導(dǎo)體領(lǐng)域。他們最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀三維“全景照片”,克服了傳統(tǒng)技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)原位、三維、高分辨率觀測的問題。
彭海琳指出,冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應(yīng)提供了強(qiáng)大工具。深入理解液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為,有助于在先進(jìn)制程中控制光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷,從而提高良率。
光刻技術(shù)是推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅(qū)動力之一
2025-10-25 22:01:02首次