10月29日，存儲芯片板塊表現(xiàn)強勁，時空科技漲停并連續(xù)六個交易日上漲，同有科技漲幅超過7%，德?？萍?、云漢芯城、西安奕材和佰維存儲等公司股價也紛紛上揚。

近期，存儲產(chǎn)品價格顯著上漲。從現(xiàn)貨市場數(shù)據(jù)來看，10月13日至18日期間，DDR5 16G和DDR4 16G的均價分別上漲了20.59%和11.11%，與上月相比漲幅更是高達58.73%和43%。DDR是內(nèi)存條的核心技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，也是衡量內(nèi)存性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。

在浙江杭州，內(nèi)存條價格近一個月翻了一番。有商戶表示，原來售價200多元的內(nèi)存條現(xiàn)在漲到400多元，而原來1000多元的則漲到近2000元。社交媒體上不少網(wǎng)友曬出自己囤積的內(nèi)存條，感嘆內(nèi)存條如今成了“電子茅臺”，漲得比黃金還快。

TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度，DRAM價格較去年同期大幅上漲171.8%。相比之下，國際現(xiàn)貨黃金價格從低位時的1890美元漲至3956美元，漲幅不到110%。

內(nèi)存條價格上漲主要源于其核心功能單元存儲芯片漲價。存儲芯片是一種用于存儲數(shù)字信息的半導(dǎo)體器件，能夠?qū)⒂嬎銠C、手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等電子系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)進行“寫入”“保存”和“讀取”，相當(dāng)于電子系統(tǒng)的“記憶單元”。存儲芯片分為兩類：一是數(shù)據(jù)持久化存儲（如NAND閃存），斷電后數(shù)據(jù)不丟失；二是實時數(shù)據(jù)暫存（如DRAM），需持續(xù)供電，讀寫速度快?；贒RAM技術(shù)的高端品類HBM（高帶寬內(nèi)存）可滿足AI計算、服務(wù)器等場景中“海量數(shù)據(jù)實時流轉(zhuǎn)”的需求。

當(dāng)前全球存儲芯片行業(yè)面臨復(fù)雜局面。隨著AI產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)，單臺AI服務(wù)器對DRAM的需求是普通服務(wù)器的8倍。像OpenAI等企業(yè)提出的每月90萬片晶圓訂單，相當(dāng)于消耗了當(dāng)前全球DRAM月產(chǎn)能的53%，極大地拉動了服務(wù)器內(nèi)存需求。此外，三星、海力士和美光將大量晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM和DDR5生產(chǎn)，直接擠壓了DDR4的產(chǎn)能空間，導(dǎo)致DDR4產(chǎn)量減少，市場上供不應(yīng)求。

為應(yīng)對漲價，年初就有不少經(jīng)銷商開始大量囤貨鎖價。在華強北等電子集散地，自二季度開始出現(xiàn)經(jīng)銷商大規(guī)模掃貨現(xiàn)象，導(dǎo)致民用市場的現(xiàn)貨流通量減少，進一步加劇了價格上漲。TrendForce報告指出，由于三大廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，并宣布個人電腦、服務(wù)器用DDR4及手機用LPDDR4X進入產(chǎn)品生命周期末期，引發(fā)了市場對上一代產(chǎn)品積極備貨，再加上正值存儲行業(yè)旺季，現(xiàn)貨市場供不應(yīng)求。2025年第三季度DRAM合約價上漲10%至15%，第三季漲價幅度達到40%至45%。

國泰君安證券指出，存儲行業(yè)已進入新一輪上行周期，服務(wù)器需求回暖疊加AI服務(wù)器放量，是本輪漲價的核心驅(qū)動力。大模型訓(xùn)練和推理對內(nèi)存容量的需求激增，HBM和DDR5內(nèi)存的緊缺將進一步傳導(dǎo)至整個存儲產(chǎn)業(yè)鏈。此前小米發(fā)布紅米K90手機時，創(chuàng)始人雷軍將不同版本間價差過大歸因于存儲成本上漲。小米集團合伙人、總裁盧偉冰也表示，無法改變?nèi)蚬?yīng)鏈的走勢，存儲成本上漲遠高于預(yù)期，且會持續(xù)加劇。

面對這樣的市場環(huán)境，國內(nèi)存儲廠商也在積極應(yīng)對。一些模組廠通過提前囤貨，在一定程度上緩解了供應(yīng)壓力，部分企業(yè)還加強與國產(chǎn)晶圓廠合作，以保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定。