存儲芯片概念回暖！9月以來，存儲芯片行業(yè)經(jīng)歷了顯著的價格上漲。經(jīng)過一個多月的發(fā)酵，熱度持續(xù)上升。市場上有消息稱，部分Dram和Flash產(chǎn)品已停止報價，或價格頻繁變動。社交媒體上有人表示，“比黃金漲得更猛的是內(nèi)存條”。小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍也在微博上提到“最近內(nèi)存漲價實(shí)在太多”。

受此影響，A股存儲芯片概念股也表現(xiàn)出強(qiáng)勁勢頭。Wind數(shù)據(jù)顯示，截至10月30日，近三個月存儲器指數(shù)上漲了59.42%。其中，江波龍累計(jì)上漲210.89%，總市值達(dá)1186億元；德明利上漲160.95%，總市值513億元；普冉股份漲超110%，總市值202億元；東芯股份漲超110%，總市值428億元；香農(nóng)芯創(chuàng)漲超275%，總市值596億元。

市場普遍認(rèn)為，本輪漲價的主要驅(qū)動力是全球科技巨頭對AI算力需求的持續(xù)增長，導(dǎo)致HBM（高帶寬內(nèi)存）供不應(yīng)求。此外，各大終端廠商在下半年集中推出新品，進(jìn)一步刺激了產(chǎn)能，推動存儲芯片行業(yè)進(jìn)入“超級周期”。

研究機(jī)構(gòu)CFM數(shù)據(jù)顯示，僅在2025年上半年，DRAM綜合價格指數(shù)就大幅上漲了47.7%，NAND Flash綜合價格指數(shù)上漲了9.2%。進(jìn)入10月份以來，512Gb Flash Wafer的價格累計(jì)漲幅超過了20%。

AI技術(shù)的快速發(fā)展被認(rèn)為是這一結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變的核心驅(qū)動力。今年全球科技巨頭在AI基礎(chǔ)設(shè)施上的投入直接推動了存儲芯片的需求，特別是HBM市場。英偉達(dá)、亞馬遜、谷歌和AMD等公司占據(jù)了HBM需求的95%，國內(nèi)阿里巴巴、百度、字節(jié)跳動、騰訊等也在增加資本支出，主要用于算力芯片和數(shù)據(jù)中心建設(shè)。

另一方面，當(dāng)AI快速向終端側(cè)延伸，各大廠商集中推出手機(jī)、PC、AI眼鏡等智能終端設(shè)備新品，進(jìn)一步刺激了對大容量、高性能存儲的需求。然而，需求增加的同時，上游供給端卻在收縮。美光、三星、SK海力士等海外原廠已啟動減產(chǎn)計(jì)劃。

此外，自去年三季度起，存儲芯片廠商將部分傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、HBM等更高利潤的產(chǎn)品。三大DRAM制造商之一的SK海力士預(yù)計(jì)，到2026年，HBM晶圓加工量將占其所有產(chǎn)品晶圓加工量的最大比重。這導(dǎo)致DDR4、LPDDR4X等舊制程DRAM產(chǎn)品存在產(chǎn)能短缺問題。

隨著供需失衡，DDR4、LPDDR4X價格自二季度起開啟漲價潮，并將持續(xù)至年底。TrendForce預(yù)計(jì)，由于三大DRAM原廠優(yōu)先分配先進(jìn)制程產(chǎn)能給高階服務(wù)器DRAM和HBM，今年四季度舊制程DRAM價格漲幅將依舊可觀，整體價格將環(huán)比增長8%~13%，HBM價格環(huán)比增長13%~18%。

A股市場對此輪“超級周期”反應(yīng)熱烈。Wind數(shù)據(jù)顯示，存儲器指數(shù)近一周區(qū)間漲跌幅為11.84%。截至10月30日，近一周以來，江波龍、普冉股份、大為股份累計(jì)漲幅居前。國內(nèi)廠商正加速擁抱AI，有的聚焦HBM、DDR5等高附加值領(lǐng)域，如賽騰股份通過收購日本Optima掌握HBM全制程量測技術(shù)。兆易創(chuàng)新逐步從低端NOR Flash產(chǎn)品拓展到NAND Flash和全線利基型DRAM產(chǎn)品，并向MCU延伸，股價近期突破歷史最高值。

國元證券研究認(rèn)為，長鑫產(chǎn)能的持續(xù)釋放將進(jìn)一步帶動公司在Dram業(yè)務(wù)上的出貨，市場利基型DDR需求保持旺盛，四季度仍具有一定的價格上升空間。江波龍近期發(fā)布了與HBM應(yīng)用互補(bǔ)的創(chuàng)新內(nèi)存SOCAMM2產(chǎn)品，能顯著降低AI推理延遲。企業(yè)前三季度財報表現(xiàn)樂觀，營業(yè)收入同比增長26.12%，歸屬于上市公司股東的凈利潤同比增長27.95%。

除了A股市場的股價狂漲和業(yè)績超預(yù)期，長鑫科技、長江存儲這兩家正在打開資本市場大門的公司也給市場帶來想象空間。長江存儲將重點(diǎn)推進(jìn)3D NAND芯片產(chǎn)能爬坡，力爭到2026年占據(jù)全球NAND閃存市場15.00%的份額。長鑫科技子公司長鑫存儲近期宣布已量產(chǎn)高端移動存儲芯片LPDDR5X產(chǎn)品，覆蓋最高達(dá)10667Mbps速率，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。

一位關(guān)注存儲芯片的行業(yè)分析師表示，漲價潮對國際原廠巨頭來說是技術(shù)溢價的機(jī)遇，對國產(chǎn)企業(yè)也是縮小差距的關(guān)鍵窗口。盡管目前全球存儲產(chǎn)能格局仍高度集中，但中長期看，隨著國內(nèi)存儲企業(yè)的技術(shù)迭代，全球存儲市場被巨頭壟斷的格局可能被打破，逐漸走向更加充分競爭的產(chǎn)業(yè)態(tài)勢。

盤點(diǎn)近十年來存儲行業(yè)的核心周期表現(xiàn)，都在于存儲芯片周期性易受到供需平衡和技術(shù)變革影響。在2012～2015年，受移動互聯(lián)網(wǎng)普及、智能手機(jī)滲透率提升及4G網(wǎng)絡(luò)換機(jī)潮推動，存儲芯片需求上升。2016～2019年，互聯(lián)網(wǎng)云廠商加大資本開支，疊加DDR4技術(shù)迭和手機(jī)游戲需求爆發(fā)，推動服務(wù)器需求快速增長。2020年到2023年，居家辦公帶來的PC、平板、服務(wù)器需求上升，5G也推動終端存儲容量增長。在經(jīng)歷了2022～2023年的下行期后，2024年底存儲市場快速回暖，進(jìn)入到2025年，存儲芯片價格的上漲已持續(xù)超過半年，進(jìn)入四季度，存儲芯片市場漲價潮反而呈現(xiàn)加速態(tài)勢。

國泰君安證券指出，存儲行業(yè)已進(jìn)入新一輪上行周期，隨著大模型訓(xùn)練和推理對內(nèi)存容量的需求激增，HBM和DDR5內(nèi)存的緊缺將進(jìn)一步傳導(dǎo)至整個存儲產(chǎn)業(yè)鏈。從A股上市公司來看，江波龍、佰維存儲和德明利存貨位居前列。此外，也有公司將價格傳導(dǎo)至產(chǎn)業(yè)鏈下游。營收97%都來自分銷的香農(nóng)芯創(chuàng)表示，上游采購價格上漲，分銷給下游的價格也會上漲，存儲的市場波動對公司毛利變化影響不大。

對于這輪由AI引發(fā)的存儲漲價超級周期，行業(yè)內(nèi)的頭部玩家表示樂觀。SK海力士CEO郭魯正近日公開表示，“對明年存儲器半導(dǎo)體市場持樂觀態(tài)度”。威剛董事長陳立白也認(rèn)為，2025年第四季度才是起點(diǎn)，明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。多名知名存儲分析師預(yù)測，DRAM和NAND Flash市場目前均出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，預(yù)計(jì)今年四季度及2026年行業(yè)價格將進(jìn)一步上漲。三星、SK海力士等存儲原廠正計(jì)劃將2025年第四季度DRAM的合約價格上調(diào)15%到30%。