中國EUV光刻自主研發(fā)獲重大進(jìn)展 打破技術(shù)封鎖！在深圳實驗室，一臺極紫外光刻原型機(jī)成功產(chǎn)生光源，這一進(jìn)展與阿斯麥?zhǔn)紫瘓?zhí)行官幾個月前的預(yù)測形成鮮明對比。當(dāng)時他堅稱中國需要很長時間才能掌握這項技術(shù)。12月18日早上，路透社報道了深圳實驗室里正在進(jìn)行測試的一臺大型設(shè)備。

這臺由中國科研團(tuán)隊制造的極紫外光刻機(jī)（EUV）原型機(jī)已經(jīng)投入運行并成功產(chǎn)生了極紫外光。消息人士透露，中國的目標(biāo)是在2028年實現(xiàn)芯片生產(chǎn)。該原型機(jī)在2025年初成功打造，目前能夠產(chǎn)生EUV光，但尚未生產(chǎn)出能正常工作的芯片。外媒猜測中國科研人員通過逆向工程研究荷蘭ASML公司的EUV光刻技術(shù)，但這只是猜測，并不代表實際情況。

這臺原型機(jī)大小與現(xiàn)代高數(shù)值孔徑EUV機(jī)器相當(dāng)，占據(jù)了整個工廠的空間。這一突破標(biāo)志著中國在光刻技術(shù)領(lǐng)域邁出重要一步。此前，中國的光刻機(jī)制造商主要停留在65納米制程階段。中國計劃在2028年實現(xiàn)芯片生產(chǎn)，但更有可能到2030年才實現(xiàn)量產(chǎn)。這一計劃正在穩(wěn)步前行。

阿斯麥?zhǔn)紫瘓?zhí)行官曾表示，由于美國對大陸禁止出口EUV微影設(shè)備，中國芯片技術(shù)將落后西方十到十五年。但他也指出，如果西方不分享技術(shù)，中國會自主研發(fā)。中國EUV原型機(jī)的問世證明了他的判斷。

中國科研人員在開發(fā)過程中采取多種技術(shù)路徑。外媒認(rèn)為，中國公司利用二手部件創(chuàng)造了功能版本，從二手市場上獲得ASML舊機(jī)器的零部件成為項目的重要部分。這種策略降低了研發(fā)成本，加快了技術(shù)積累。

華為在芯片設(shè)計和生產(chǎn)方面扮演了關(guān)鍵角色，努力建立國內(nèi)人工智能供應(yīng)鏈以繞過外國技術(shù)限制。華為在中國觀瀾建立了一個設(shè)施，使用7納米技術(shù)為其定制處理器制造半導(dǎo)體，引發(fā)國際半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)注。

一些觀察家重新評估中國技術(shù)突破的時間表，認(rèn)為2028年是一個可實現(xiàn)的目標(biāo)。A股市場光刻機(jī)概念股已擴(kuò)容至40余只，核心標(biāo)的如芯碁微裝、江豐電子等公司獲得多家投資機(jī)構(gòu)推薦。國產(chǎn)化率也在提升，尤其在i線前道光刻機(jī)和中低端DUV設(shè)備領(lǐng)域，中國企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)了批量替代。

中國EUV光刻機(jī)原型機(jī)的出現(xiàn)正在改變?nèi)虬雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。隨著全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重構(gòu)加速，中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。國產(chǎn)替代率已提升至12%，較2024年增長5個百分點。阿斯麥執(zhí)行官富凱警告，如果西方持續(xù)收緊制裁，中國將全力開發(fā)自主設(shè)備，擺脫對西方技術(shù)的依賴。

深圳EUV原型機(jī)的研發(fā)線日夜運轉(zhuǎn)，等待下一步測試。一名歐洲分析師簡略回復(fù)稱：“市場即將重劃版圖?！卑⑺果溈偛扛吖軅円苍谥匦聦徱晫θA出口的數(shù)據(jù)。曾經(jīng)固若金湯的技術(shù)壁壘正在被悄然撬動。