臺灣將為美國貢獻全球40%芯片產(chǎn)能 巨額投資背后。美國政府宣布將中國臺灣對美出口稅率降至15%，相比之前的約20%有所降低。作為交換，包括臺積電在內(nèi)的臺灣半導(dǎo)體與科技企業(yè)需至少直接投資美國2500億美元，同時中國臺灣還需提供2500億美元信用保證支持。

中國臺灣省經(jīng)貿(mào)工作小組代表鄭麗君表示，由于中國臺灣是美國第六大貿(mào)易逆差地區(qū)，逆差主要來自信息通信產(chǎn)品和電子零組件等，涉及美方232條款調(diào)查，因此在談判中聚焦對等關(guān)稅并同美國貿(mào)易代表署及商務(wù)部進行了多輪磋商。最終，中國臺灣同意以兩類資本承諾投資美國：第一類為企業(yè)自主投資2500億美元，涵蓋半導(dǎo)體、AI應(yīng)用等；第二類為政府以信用保證方式支持金融機構(gòu)提供最高2500億美元的企業(yè)授信額度，用于半導(dǎo)體及ICT供應(yīng)鏈等領(lǐng)域。

美國商務(wù)部長霍華德·盧特尼克指出，在特朗普總統(tǒng)任內(nèi)，目標(biāo)是將中國臺灣整個半導(dǎo)體供應(yīng)鏈產(chǎn)能的40%轉(zhuǎn)移至美國，并持續(xù)游說芯片制造“五五分”的構(gòu)想，即美國和中國臺灣各生產(chǎn)一半。

臺積電公布2026年資本支出計劃最高將達560億美元，較2025年實際支出大幅增長37%，創(chuàng)下歷史新高。臺積電在美國的投資將超過2000億美元，已在亞利桑那州擴展為獨立的超大晶圓廠聚落，建置6座晶圓廠、2座先進封裝廠及1間研發(fā)中心。目前，首座晶圓廠已于2024年第四季進入高量產(chǎn)階段，第二座晶圓廠建造已完成，預(yù)計2027年下半年進入高量產(chǎn)階段，第三座晶圓廠已開工建造，臺積電也正申請第四座晶圓廠及首座先進封裝廠的建造許可。

盡管如此，臺積電首席財務(wù)官黃仁昭強調(diào)，即便臺積電產(chǎn)能加速移轉(zhuǎn)，最尖端技術(shù)從中國臺灣移往海外量產(chǎn)仍需至少一年以上時間。預(yù)計至2030年，臺灣先進工藝產(chǎn)能占比仍達約85%，美國約15%。

在與中國臺灣達成關(guān)稅協(xié)議后，盧特尼克警告稱，存儲芯片制造商如果不在美國投資，可能面臨100%的半導(dǎo)體關(guān)稅。雖然沒有點名具體公司，但外界認為這主要是針對韓國和中國臺灣，尤其是三星電子和SK海力士這兩個全球最大的存儲芯片廠商。韓國是全球最大的存儲芯片生產(chǎn)國，占據(jù)全球超過60%的市場份額，而美國對于存儲芯片的需求主要依賴進口。

去年8月，美國曾考慮對所有進入美國的半導(dǎo)體征收100%的關(guān)稅，但后來決定推遲全面實施關(guān)稅，并與相關(guān)國家和地區(qū)進行關(guān)稅談判，希望通過關(guān)稅換投資的策略推動半導(dǎo)體廠商赴美國投資建廠。對于已經(jīng)或計劃在美國投資的半導(dǎo)體廠商，美國政府披露了半導(dǎo)體關(guān)稅豁免條件：中國臺灣半導(dǎo)體廠商在建廠期間可以免關(guān)稅進口相當(dāng)于建廠產(chǎn)能2.5倍的半導(dǎo)體。韓國和美國此前已達成一項貿(mào)易協(xié)議，韓國政府得到了一個原則性的承諾，即不會受到比其競爭對手中國臺灣更不利的待遇。