除了中東，英偉達(dá)也導(dǎo)致了韓國股市暴跌 內(nèi)存股受挫。過去兩天，韓國基準(zhǔn)指數(shù)KOSPI跌幅均超過10%，創(chuàng)下2008年以來最大兩日跌幅。市場(chǎng)普遍認(rèn)為，特朗普對(duì)伊朗動(dòng)武引發(fā)的全球資金避險(xiǎn)情緒導(dǎo)致包括韓國在內(nèi)的亞洲股市遭受重創(chuàng)。但最新分析指出，英偉達(dá)也對(duì)韓國股市下跌有所影響。

一則關(guān)于英偉達(dá)的技術(shù)傳聞對(duì)韓國內(nèi)存股造成了精準(zhǔn)打擊。據(jù)分析師引述獨(dú)立分析機(jī)構(gòu)KIS的評(píng)論，有報(bào)道稱英偉達(dá)正在開發(fā)一種利用Groq片上SRAM架構(gòu)的新型推理芯片，并計(jì)劃在3月的GTC大會(huì)上公布。這一消息導(dǎo)致韓國內(nèi)存股走弱，投資者擔(dān)憂SRAM的使用會(huì)減少對(duì)包括HBM在內(nèi)的主內(nèi)存的需求。

不過，韓國股市今日出現(xiàn)了強(qiáng)勁反彈。最新行情顯示，韓國KOSPI指數(shù)漲幅擴(kuò)大至11%，科技巨頭三星電子大漲13%，SK海力士飆升15%。

市場(chǎng)可能誤判了SRAM推理芯片的沖擊。KIS明確表示，“低成本”SRAM推理芯片的出現(xiàn)不會(huì)減少HBM等現(xiàn)有主內(nèi)存的使用。從物理特性來看，SRAM的單元面積更大，密度低于DRAM，每比特成本顯著更高。對(duì)于相同容量，SRAM通常需要DRAM 5到10倍的裸片面積。因此，SRAM歷史上一直用于需要極低延遲的緩存或片上緩沖應(yīng)用，而非作為存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的主內(nèi)存。

SRAM架構(gòu)并非DRAM的替代品，而是一個(gè)獨(dú)立的選項(xiàng)。與DRAM相比，以SRAM為中心的架構(gòu)具有訪問延遲低得多和數(shù)據(jù)移動(dòng)最小化的優(yōu)勢(shì)。KIS分析稱，英偉達(dá)計(jì)劃利用Groq架構(gòu)是為了針對(duì)GPU難以處理的特定推理工作負(fù)載進(jìn)行優(yōu)化。采用SRAM架構(gòu)應(yīng)被理解為針對(duì)需要超低延遲的特定數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載以及需要實(shí)時(shí)響應(yīng)的物理AI邊緣應(yīng)用（如機(jī)器人和自動(dòng)駕駛）的獨(dú)特選擇。事實(shí)上，OpenAI已經(jīng)在其數(shù)據(jù)中心部署了Cerebras的SRAM芯片，基于這些芯片構(gòu)建的推理服務(wù)收取比標(biāo)準(zhǔn)GPU推理服務(wù)更高的API費(fèi)用。

隨著AI產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，基于Groq的SRAM架構(gòu)的普及將進(jìn)一步細(xì)分AI基礎(chǔ)設(shè)施內(nèi)的內(nèi)存層級(jí)。HBM和DRAM將繼續(xù)作為大規(guī)模模型訓(xùn)練和通用推理服務(wù)器的主內(nèi)存。涵蓋SRAM、HBM和DRAM的內(nèi)存層級(jí)將變得越來越具有多層次性，最終推動(dòng)整個(gè)內(nèi)存行業(yè)總潛在市場(chǎng)的擴(kuò)張。