消息稱下一代 DDR6 內(nèi)存速率可達 17.6Gbps、LPDDR6 內(nèi)存速率可達 14.4Gbps
5月21日,博主Darkmont分享了Synopsys與JEDEC關(guān)于即將推出的DDR6/LPDDR6內(nèi)存標準的詳細資料。據(jù)透露,DDR6內(nèi)存的預期速率范圍為8.8Gbps至17.6Gbps,未來甚至有望達到21Gbps。該標準的初版草案預計將在年內(nèi)面世,而完整1.0版本規(guī)范則計劃在明年的第二季度公開。
另一方面,LPDDR6內(nèi)存的設計采用了24bit通道寬度,基礎速率為10.667Gbps,最高可定義速率提升至14.4Gbps。這使得LPDDR6內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸帶寬可達到28.5GB/s至38.4GB/s之間,同時在能效和安全性能方面也實現(xiàn)了進步。
JEDEC的研究不僅限于內(nèi)存本身,還涵蓋了LPDDR6 CAMM2模組及其潛在的桌面與服務器平臺應用,顯示出對這一新型內(nèi)存技術(shù)全面發(fā)展的重視。
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