擔(dān)憂補(bǔ)貼恐生變

臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》28日稱，特朗普在美國(guó)大選期間曾指責(zé)“臺(tái)灣搶走美國(guó)半導(dǎo)體生意”，外界關(guān)切臺(tái)積電先進(jìn)制程尤其是2納米恐將被迫提早赴美設(shè)廠。27日國(guó)民黨“立委”鄭正鈐質(zhì)詢時(shí)稱，臺(tái)積電在美國(guó)持續(xù)擴(kuò)廠，第一座廠是4納米、第二座廠是3納米，美國(guó)商務(wù)部日前透露第三座廠是“未來(lái)先進(jìn)制程”，“會(huì)不會(huì)到時(shí)候A16埃米級(jí)技術(shù)也出去？最后變成臺(tái)積電最先進(jìn)技術(shù)在美國(guó)、而不是臺(tái)灣？”臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)”郭智輝聲稱，“經(jīng)濟(jì)部”對(duì)臺(tái)積電對(duì)外投資有很大影響力，“作為臺(tái)積電后盾，將臺(tái)積電留在臺(tái)灣”。不過(guò)他日前承認(rèn)，臺(tái)積電2納米芯片遲早會(huì)在美國(guó)生產(chǎn)。

臺(tái)“國(guó)科會(huì)主委”吳誠(chéng)文27日稱，目前臺(tái)積電已量產(chǎn)的最先進(jìn)制程是3納米，根據(jù)臺(tái)積電發(fā)布時(shí)程，2納米預(yù)計(jì)2025年年底量產(chǎn)，之后臺(tái)積電進(jìn)入下一階段新制程，屆時(shí)可以討論2納米制程是否往其他地區(qū)擴(kuò)散。

臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》28日稱，美國(guó)商務(wù)部本月15日敲定對(duì)臺(tái)積電亞利桑那州子公司提供66億美元的補(bǔ)貼，協(xié)助興建3座晶圓廠。但特朗普指定領(lǐng)導(dǎo)“政府效率部”的共同人選之一、企業(yè)家拉馬斯瓦米表示，美國(guó)芯片法案的補(bǔ)貼是“浪費(fèi)”。他在社交平臺(tái)X上分享一段訪談視頻，其中美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多提到她加快芯片法案的計(jì)劃。拉馬斯瓦米稱，雷蒙多表示明年1月20日是發(fā)出這些錢的明確期限，即希望在其離開前能發(fā)出幾乎所有的資金，“這是高度不合適的”。有島內(nèi)輿論擔(dān)心，臺(tái)積電補(bǔ)貼恐生變。

“不斷發(fā)出呼救信號(hào)”

臺(tái)灣中時(shí)電子報(bào)一篇評(píng)論稱，臺(tái)積電美國(guó)廠12月啟用典禮延后，不僅向特朗普示好意圖明顯，還要貢獻(xiàn)大筆武器預(yù)算，“臺(tái)灣真是賠了夫人又折兵，而且似乎看不到停損點(diǎn)”。文章稱，隨著特朗普明年1月正式上任，臺(tái)積電先進(jìn)制程被迫提早轉(zhuǎn)移美國(guó)，若被譽(yù)為“護(hù)臺(tái)神山”的臺(tái)積電，關(guān)鍵先進(jìn)制程被美國(guó)“整碗捧去”，無(wú)疑斷了維系臺(tái)灣安全之路，當(dāng)“硅盾”沒(méi)了，臺(tái)灣再無(wú)利用價(jià)值。