復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬—劉春森團隊研發(fā)出全球首顆二維—硅基混合架構(gòu)閃存芯片,解決了存儲速率的技術(shù)難題。相關(guān)研究成果發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然》。
這是繼“破曉(PoX)”皮秒閃存器件問世后,復(fù)旦大學(xué)在二維電子器件工程化道路上的又一次重要突破。該成果將二維超快閃存與成熟互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝深度融合,攻克了二維信息器件工程化的關(guān)鍵難題。產(chǎn)業(yè)界人士認為,這種芯片有望突破閃存在速度、功耗和集成度上的平衡限制,未來或在3D應(yīng)用層面帶來更大市場機會。
時隔半年,繼“破曉(PoX)”皮秒閃存器件問世后,復(fù)旦大學(xué)在二維電子器件工程化道路上再次取得重大突破
2025-10-09 22:36:45全球首顆時隔半年,繼“破曉(PoX)”皮秒閃存器件問世后,復(fù)旦大學(xué)在二維電子器件工程化道路上再獲重大突破
2025-10-09 22:39:40全球首顆全新架構(gòu)閃存芯片問世