美國印度將合建半導(dǎo)體廠聚焦軍事領(lǐng)域與技術(shù)自主

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2024-09-25 09:43:00 中國青年網(wǎng)

美國白宮于9月23日宣布，將與印度攜手建設(shè)一座半導(dǎo)體工廠，此消息在印度總理莫迪訪美期間與美國總統(tǒng)拜登會(huì)晤后公布。雙方視此合作為里程碑式進(jìn)展，并承諾深化半導(dǎo)體技術(shù)等領(lǐng)域的合作研究。這座工廠專注于生產(chǎn)用于紅外線發(fā)射的半導(dǎo)體產(chǎn)品及適用于軍事電子設(shè)備的先進(jìn)材料，如氮化鎵和碳化硅，這些材料目前應(yīng)用范圍雖有限，但潛力巨大。項(xiàng)目獲得印度半導(dǎo)體計(jì)劃的背書，也是印美間戰(zhàn)略技術(shù)合作的體現(xiàn)，涉及印度初創(chuàng)企業(yè)Bharat Semi、圖像傳感器公司3rdiTech及美國太空部隊(duì)。

值得注意的是，這將是美國軍方首次在印度設(shè)立此類工廠，專為軍事領(lǐng)域的半導(dǎo)體設(shè)備需求服務(wù)。印度年輕的芯片工程師隊(duì)伍有望顯著降低美國軍方相關(guān)產(chǎn)品的制造成本，而美國的技術(shù)轉(zhuǎn)移也使印度加入到少數(shù)能制造這類高端產(chǎn)品的國家行列中。

莫迪政府計(jì)劃從2023年開始，提供最高達(dá)100億美元的補(bǔ)貼預(yù)算，以吸引對(duì)印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，補(bǔ)貼比例可達(dá)項(xiàng)目總投資的50%至70%。莫迪還規(guī)劃在古吉拉特邦打造“半導(dǎo)體之城”，旨在吸引全球芯片制造商。印度塔塔集團(tuán)正著手建立一個(gè)高標(biāo)準(zhǔn)的晶圓廠，目標(biāo)占據(jù)全球半導(dǎo)體晶圓市場(chǎng)10%的份額。

盡管莫迪力推“半導(dǎo)體自給自足”，印度面臨半導(dǎo)體行業(yè)專業(yè)人才短缺的挑戰(zhàn)，需高薪引進(jìn)國外專家并加速本土工程師的成長(zhǎng)。分析指出，印度制造業(yè)的國際競(jìng)爭(zhēng)力普遍不足，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的機(jī)會(huì)在于迎合美國供應(yīng)鏈“友岸外包”的需求，但這一策略本身難以構(gòu)建持久的國際競(jìng)爭(zhēng)力。

彭博社社論質(zhì)疑，印度政府的補(bǔ)貼政策似乎偏好莫迪家鄉(xiāng)古吉拉特邦，該地區(qū)在半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵條件上并無突出優(yōu)勢(shì)，這種非市場(chǎng)化補(bǔ)貼恐不利于產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。評(píng)論警告，不切實(shí)際的宏大計(jì)劃可能導(dǎo)致巨額補(bǔ)貼效率低下。對(duì)莫迪而言，更重要的是依托印度蓬勃發(fā)展的電子產(chǎn)品組裝業(yè)，逐步向上游產(chǎn)業(yè)鏈延伸，吸引高價(jià)值的制造企業(yè)落戶印度，利用本國市場(chǎng)和資源推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

(責(zé)任編輯：張小花 TT1000)

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