最近市場對芯片晶圓板封裝（CoWoP）技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣，這種技術(shù)與現(xiàn)有的CoWoS封裝有何不同？它對供應(yīng)鏈和商業(yè)化前景有何影響？

8月5日，摩根大通在最新研報(bào)中表示，英偉達(dá)正在探索一項(xiàng)革命性的芯片封裝技術(shù)——CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB），該技術(shù)可能替代現(xiàn)有的CoWoS封裝方案。新方法利用先進(jìn)的高密度PCB技術(shù)，去除了CoWoS封裝中的ABF基板層，直接將中介層與PCB連接。

摩根大通指出，這一技術(shù)變革對ABF基板廠商顯然是負(fù)面消息，但為PCB制造商帶來了重大機(jī)遇。盡管分析師認(rèn)為CoWoP技術(shù)在中期內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的可能性較低，主要受制于多重技術(shù)挑戰(zhàn)，但他們強(qiáng)調(diào)無論CoWoP是否成功量產(chǎn)，英偉達(dá)都將繼續(xù)引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心AI基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新。

CoWoP代表Chip-on-Wafer-on-PCB技術(shù)路徑，在完成芯片-晶圓中介層制造步驟后，中介層直接安裝到PCB上，而非像CoWoS工藝那樣綁定到ABF基板上。這項(xiàng)技術(shù)的潛在優(yōu)勢包括簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、提高數(shù)據(jù)傳輸效率、改善熱管理性能并降低功耗，同時(shí)減少每代產(chǎn)品都在上升的基板成本及一些后端測試步驟。

然而，CoWoP面臨關(guān)鍵挑戰(zhàn)。目前只有蘋果公司采用mSAP或SLP PCB技術(shù)，但其節(jié)距尺寸更大且PCB板面積更小，因此將其擴(kuò)展到具有更高載流能力的大型GPU仍存在技術(shù)和運(yùn)營難題。

對于ABF基板廠商來說，這顯然不是好消息，因?yàn)榛甯郊又悼赡軙?huì)大幅減少甚至消失，而高端PCB層則承擔(dān)了封裝內(nèi)路由步驟。但對于具備先進(jìn)mSAP能力和基板/封裝工藝深度知識(shí)的PCB制造商而言，則是一個(gè)重大機(jī)遇。

歷史上，更高的I/O數(shù)量和更精細(xì)的線/間距尺寸需要遷移到ABF基板。即使對于AI加速器，預(yù)計(jì)ABF基板也將在5/5線/間距尺寸之后失效。當(dāng)前高密度互連(HDI)PCB的L/S為40/50微米，即使是用于iPhone主板的類基板PCB(SLP)也僅達(dá)到20/35微米，要將PCB的L/S從20/35微米縮小到10/10微米以下存在顯著技術(shù)難度。

此外，英偉達(dá)當(dāng)前確定的發(fā)展路線圖與CoWoP追求的新方向存在一定矛盾。高附加值封裝生態(tài)系統(tǒng)參與者如臺(tái)積電參與度不高，主要集中在PCB廠商和特定OSAT廠商，這降低了商業(yè)化的可能性。

不過，摩根大通認(rèn)為無論CoWoP是否成功量產(chǎn)，英偉達(dá)通過系統(tǒng)級(jí)方法繼續(xù)引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心AI基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，英偉達(dá)率先推出CoWoS-L封裝，探索CoWoP和CoPoS封裝技術(shù)，并可能領(lǐng)導(dǎo)大規(guī)模CPO（共封裝光學(xué)）應(yīng)用和1.6T光學(xué)技術(shù)發(fā)展。這種持續(xù)創(chuàng)新能力預(yù)計(jì)將使英偉達(dá)在未來數(shù)年內(nèi)保持GPU領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，并在與ASIC競爭中占據(jù)主導(dǎo)地位。