8月29日,印度總理莫迪將訪問日本,期間雙方計劃簽署一份價值680億美元的投資協(xié)議。日本將在未來十年內(nèi)向印度注入這筆資金,重點投資半導(dǎo)體、人工智能、關(guān)鍵礦產(chǎn)和清潔能源四大領(lǐng)域,規(guī)模較2022年提出的5萬億日元目標(biāo)翻倍。
此次合作不僅具有經(jīng)濟(jì)意義,還被賦予了戰(zhàn)略意義。雙方將簽署“經(jīng)濟(jì)安全保障倡議”,旨在構(gòu)建“去中國化”的產(chǎn)業(yè)鏈體系,推動“自由開放的印太”愿景。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,瑞薩電子計劃在印度啟動首個3納米芯片設(shè)計中心,并于2027年實現(xiàn)車規(guī)級芯片量產(chǎn)。印度政府計劃在未來五年內(nèi)培養(yǎng)8.5萬名工程師,打造全球第二大研發(fā)基地。富士康與HCL合資建設(shè)封裝廠,與iPhone組裝線形成“芯片-整機(jī)”閉環(huán);塔塔集團(tuán)則聯(lián)手力積電投資110億美元建設(shè)12英寸晶圓廠,主攻28納米以上成熟制程,搶占電動汽車與AI芯片市場。美光封測廠預(yù)計2025年投產(chǎn),與塔塔、瑞薩形成50公里產(chǎn)業(yè)帶;英飛凌則聚焦車規(guī)芯片研發(fā),目標(biāo)是在2030年在印度銷售額超過10億歐元。
然而,印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也面臨諸多挑戰(zhàn)。盡管擁有全球20%的芯片設(shè)計人才,但僅有1%具備先進(jìn)制程經(jīng)驗。瑞薩的3納米設(shè)計依賴臺積電代工,富士康的技術(shù)轉(zhuǎn)移依靠中國臺灣專家支持,本土IP庫和工具鏈幾乎空白。原材料和設(shè)備進(jìn)口依賴度超過70%,電力和物流等基礎(chǔ)設(shè)施薄弱導(dǎo)致美光工廠投產(chǎn)延期半年。此外,印度曾因?qū)徟t緩和稅率突變導(dǎo)致外資項目擱淺,這次50%的財政補(bǔ)貼能否兌現(xiàn)仍是未知數(shù)。
日本希望通過此次合作降低對中國的依賴。日本半導(dǎo)體材料40%出口中國,稀土進(jìn)口90%依賴中國。印度擁有590萬噸鋰礦儲量,成為替代選項。信越化學(xué)計劃在印度建硅片廠,目標(biāo)滿足全球10%的需求。豐田在印度投資1.2萬億日元建設(shè)汽車電子園,利用低成本勞動力優(yōu)勢打造出口樞紐;軟銀則加碼印度AI初創(chuàng)企業(yè),押注其8億互聯(lián)網(wǎng)用戶紅利。
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