中國(guó)又一家芯片牛企硬核出世 氮化鎵王者崛起！氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，被譽(yù)為“半導(dǎo)體游戲規(guī)則的改變者”。2015年，前NASA科學(xué)家駱薇薇回國(guó)創(chuàng)業(yè)，如今她已成為全球氮化鎵芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍人物。

AI的發(fā)展帶來(lái)了用電挑戰(zhàn)與變革。英偉達(dá)決定將數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)從54V直流架構(gòu)升級(jí)到800V高壓直流架構(gòu)，以滿足日益增長(zhǎng)的AI算力需求。2023年8月，英偉達(dá)公布了合作伙伴名錄，其中最年輕的入選企業(yè)是中國(guó)的英諾賽科。英諾賽科在官網(wǎng)表示，其第三代氮化鎵GaN芯片具備高頻、高效率與高功率密度等特性，能夠?yàn)橛ミ_(dá)800VDC架構(gòu)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案。

氮化鎵芯片具有高功率、低能耗和體積小的特點(diǎn)，適用于AI時(shí)代的數(shù)據(jù)中心。成立于2015年的英諾賽科目前在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額排名第一，市占率達(dá)42.4%。公司創(chuàng)始人駱薇薇曾在NASA工作15年，從項(xiàng)目經(jīng)理做到首席科學(xué)家。2014年，美國(guó)納微半導(dǎo)體成為全球首個(gè)推出氮化鎵功率芯片的公司，駱薇薇認(rèn)為這是中國(guó)實(shí)現(xiàn)芯片趕超的機(jī)會(huì)，于是決定回國(guó)創(chuàng)業(yè)。

2015年12月，駱薇薇在珠海高新區(qū)成立了英諾賽科，注冊(cè)資本10億人民幣。盡管面臨研發(fā)難、融資難和建廠難等問(wèn)題，但她依然充滿信心。駱薇薇選擇了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，設(shè)計(jì)、制造、銷售都掌握在自己手中，解決了氮化鎵芯片大規(guī)模推廣的價(jià)格、量產(chǎn)和供應(yīng)鏈保障問(wèn)題。公司還決定直接制造領(lǐng)先業(yè)界的8英寸晶圓，這比6英寸晶圓能多產(chǎn)出80%的晶粒，降低成本30%。

經(jīng)過(guò)兩年的努力，英諾賽科攻克了多項(xiàng)技術(shù)難關(guān)，成功掌握了8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù)和器件制造工藝流程。2017年11月，公司建成了中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產(chǎn)線。2020年夏天，產(chǎn)品良率達(dá)到92%。2021年6月，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體公司舉行了量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式，標(biāo)志著全球最大的氮化鎵生產(chǎn)基地正式投產(chǎn)。

隨著量產(chǎn)的實(shí)現(xiàn)，英諾賽科迎來(lái)了快速發(fā)展。中芯國(guó)際技術(shù)研發(fā)副總裁吳金剛博士加盟擔(dān)任CEO，進(jìn)一步推動(dòng)了公司的技術(shù)進(jìn)步。氮化鎵技術(shù)已在消費(fèi)電子領(lǐng)域取得突破，如手機(jī)快充設(shè)備。2021年10月，英諾賽科的雙向?qū)óa(chǎn)品VGaN率先導(dǎo)入OPPO手機(jī)，成為世界第一款導(dǎo)入智能手機(jī)內(nèi)部電源開關(guān)領(lǐng)域的氮化鎵芯片。隨后，智能充電品牌安克也采用了英諾賽科的氮化鎵芯片，共同發(fā)布了全球首款65W全氮化鎵快充。

2023年，英諾賽科營(yíng)收突破5億達(dá)5.93億元，氮化鎵芯片出貨量突破3億顆，成為全球消費(fèi)類領(lǐng)域最大的氮化鎵供應(yīng)商。同年，公司贏得了與美國(guó)氮化鎵巨頭宜普的專利官司，并加快了全球市場(chǎng)的布局，在硅谷、首爾、比利時(shí)等地設(shè)立了子公司和研發(fā)中心。駱薇薇希望讓世界相信“中國(guó)芯”，并計(jì)劃在未來(lái)十年內(nèi)將氮化鎵芯片市場(chǎng)擴(kuò)展到數(shù)百億美元規(guī)模。