中國(guó)EUV光刻自主研發(fā)獲重大進(jìn)展 打破技術(shù)封鎖!在深圳實(shí)驗(yàn)室,一臺(tái)極紫外光刻原型機(jī)成功產(chǎn)生光源,這一進(jìn)展與阿斯麥?zhǔn)紫瘓?zhí)行官幾個(gè)月前的預(yù)測(cè)形成鮮明對(duì)比。當(dāng)時(shí)他堅(jiān)稱中國(guó)需要很長(zhǎng)時(shí)間才能掌握這項(xiàng)技術(shù)。12月18日早上,路透社報(bào)道了深圳實(shí)驗(yàn)室里正在進(jìn)行測(cè)試的一臺(tái)大型設(shè)備。
這臺(tái)由中國(guó)科研團(tuán)隊(duì)制造的極紫外光刻機(jī)(EUV)原型機(jī)已經(jīng)投入運(yùn)行并成功產(chǎn)生了極紫外光。消息人士透露,中國(guó)的目標(biāo)是在2028年實(shí)現(xiàn)芯片生產(chǎn)。該原型機(jī)在2025年初成功打造,目前能夠產(chǎn)生EUV光,但尚未生產(chǎn)出能正常工作的芯片。外媒猜測(cè)中國(guó)科研人員通過(guò)逆向工程研究荷蘭ASML公司的EUV光刻技術(shù),但這只是猜測(cè),并不代表實(shí)際情況。
這臺(tái)原型機(jī)大小與現(xiàn)代高數(shù)值孔徑EUV機(jī)器相當(dāng),占據(jù)了整個(gè)工廠的空間。這一突破標(biāo)志著中國(guó)在光刻技術(shù)領(lǐng)域邁出重要一步。此前,中國(guó)的光刻機(jī)制造商主要停留在65納米制程階段。中國(guó)計(jì)劃在2028年實(shí)現(xiàn)芯片生產(chǎn),但更有可能到2030年才實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一計(jì)劃正在穩(wěn)步前行。
阿斯麥?zhǔn)紫瘓?zhí)行官曾表示,由于美國(guó)對(duì)大陸禁止出口EUV微影設(shè)備,中國(guó)芯片技術(shù)將落后西方十到十五年。但他也指出,如果西方不分享技術(shù),中國(guó)會(huì)自主研發(fā)。中國(guó)EUV原型機(jī)的問(wèn)世證明了他的判斷。
中國(guó)科研人員在開(kāi)發(fā)過(guò)程中采取多種技術(shù)路徑。外媒認(rèn)為,中國(guó)公司利用二手部件創(chuàng)造了功能版本,從二手市場(chǎng)上獲得ASML舊機(jī)器的零部件成為項(xiàng)目的重要部分。這種策略降低了研發(fā)成本,加快了技術(shù)積累。
華為在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)方面扮演了關(guān)鍵角色,努力建立國(guó)內(nèi)人工智能供應(yīng)鏈以繞過(guò)外國(guó)技術(shù)限制。華為在中國(guó)觀瀾建立了一個(gè)設(shè)施,使用7納米技術(shù)為其定制處理器制造半導(dǎo)體,引發(fā)國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)注。