當(dāng)前存儲(chǔ)芯片漲價(jià)周期勢(shì)頭未減，傳統(tǒng)產(chǎn)品的價(jià)格也有所回升。華爾街知名投行摩根士丹利發(fā)布研報(bào)稱(chēng)，傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片的供需缺口正在持續(xù)擴(kuò)大，從2025年第二季度至2026年，行業(yè)將迎來(lái)新一波超級(jí)周期。DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)緊張態(tài)勢(shì)加劇，市場(chǎng)暫無(wú)悲觀理由。

由于先進(jìn)制程存儲(chǔ)產(chǎn)品如DDR5、HBM產(chǎn)能需求強(qiáng)勁，成熟制程產(chǎn)能分配受到擠壓。2026年1月，頭部企業(yè)對(duì)DDR4芯片采購(gòu)表現(xiàn)積極，受供應(yīng)限制，其一季度價(jià)格漲幅可能達(dá)50%，漲勢(shì)將延續(xù)至二季度。隨著產(chǎn)能向DDR4轉(zhuǎn)移，高密度DDR3芯片將嚴(yán)重短缺，帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)商的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

閃存芯片方面，摩根士丹利預(yù)計(jì)NOR Flash在2026年一季度上漲20%至30%，漲價(jià)趨勢(shì)或延續(xù)至下半年。常規(guī)NAND Flash供應(yīng)大幅縮減，其細(xì)分類(lèi)別MLC與SLC NAND一季度價(jià)格漲幅將超50%，采用先進(jìn)制程工藝的高密度SLC NAND價(jià)格漲勢(shì)也將跟進(jìn)。

基于類(lèi)似原因，摩根大通分析團(tuán)隊(duì)維持了對(duì)內(nèi)存巨頭SK海力士的“增持”評(píng)級(jí)，并將目標(biāo)價(jià)上調(diào)至100萬(wàn)韓元。分析師指出，AI內(nèi)存需求長(zhǎng)期增長(zhǎng)趨勢(shì)未變，加上潛在的美股上市計(jì)劃，將成為推動(dòng)SK海力士股價(jià)上漲的雙重催化劑。未來(lái)3至6個(gè)月內(nèi)，強(qiáng)勁的定價(jià)動(dòng)能將推動(dòng)公司盈利預(yù)期上調(diào)，預(yù)計(jì)2026至2027財(cái)年的每股收益將有20%至25%的向上修正空間。

此前多家機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，隨著AI數(shù)據(jù)中心高端存儲(chǔ)產(chǎn)品需求持續(xù)增加，存儲(chǔ)芯片價(jià)格將在2026年繼續(xù)走高。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint今年1月報(bào)告指出，內(nèi)存市場(chǎng)已進(jìn)入“超級(jí)牛市”階段，當(dāng)前狀況超過(guò)2018年的歷史高峰，供應(yīng)商影響力達(dá)到歷史新高。預(yù)計(jì)內(nèi)存價(jià)格在2025年第四季度激增40%至50%，還將在2026年第一季度上漲40%至50%，在第二季度上漲20%左右。

盡管相關(guān)廠商增加資本投入，但產(chǎn)能增長(zhǎng)存在顯著時(shí)間延遲，導(dǎo)致嚴(yán)重的供需失衡。預(yù)計(jì)2026年DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)量將同比增長(zhǎng)24%，但仍需一段時(shí)間來(lái)滿足需求。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC去年12月報(bào)告表示，2025年底全球半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)經(jīng)歷了前所未有的內(nèi)存芯片短缺，這一連鎖反應(yīng)可能持續(xù)到2027年。IDC預(yù)計(jì)，2026年DRAM和NAND的供應(yīng)增長(zhǎng)率將低于歷史平均水平，同比分別為16%和17%。

IDC分析師團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，這并非只是供需錯(cuò)配引發(fā)的周期性短缺，而是全球硅晶圓產(chǎn)能一次潛在的、永久性的戰(zhàn)略再分配。智能手機(jī)和個(gè)人電腦用DRAM與NAND閃存一直是存儲(chǔ)產(chǎn)能的主要驅(qū)動(dòng)力，如今這一動(dòng)態(tài)已經(jīng)逆轉(zhuǎn)。微軟、谷歌、Meta和亞馬遜等超大規(guī)模服務(wù)商對(duì)HBM的需求迫使三大內(nèi)存制造商將有限的凈室空間和資本支出轉(zhuǎn)向利潤(rùn)率更高的企業(yè)級(jí)組件，形成零和博弈。