臺(tái)灣將為美國(guó)貢獻(xiàn)全球40%芯片產(chǎn)能巨額投資背后

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2026-01-21 02:14:09 新浪

臺(tái)灣將為美國(guó)貢獻(xiàn)全球40%芯片產(chǎn)能巨額投資背后。美國(guó)政府宣布將中國(guó)臺(tái)灣對(duì)美出口稅率降至15%，相比之前的約20%有所降低。作為交換，包括臺(tái)積電在內(nèi)的臺(tái)灣半導(dǎo)體與科技企業(yè)需至少直接投資美國(guó)2500億美元，同時(shí)中國(guó)臺(tái)灣還需提供2500億美元信用保證支持。

中國(guó)臺(tái)灣省經(jīng)貿(mào)工作小組代表鄭麗君表示，由于中國(guó)臺(tái)灣是美國(guó)第六大貿(mào)易逆差地區(qū)，逆差主要來自信息通信產(chǎn)品和電子零組件等，涉及美方232條款調(diào)查，因此在談判中聚焦對(duì)等關(guān)稅并同美國(guó)貿(mào)易代表署及商務(wù)部進(jìn)行了多輪磋商。最終，中國(guó)臺(tái)灣同意以兩類資本承諾投資美國(guó)：第一類為企業(yè)自主投資2500億美元，涵蓋半導(dǎo)體、AI應(yīng)用等；第二類為政府以信用保證方式支持金融機(jī)構(gòu)提供最高2500億美元的企業(yè)授信額度，用于半導(dǎo)體及ICT供應(yīng)鏈等領(lǐng)域。

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)霍華德·盧特尼克指出，在特朗普總統(tǒng)任內(nèi)，目標(biāo)是將中國(guó)臺(tái)灣整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈產(chǎn)能的40%轉(zhuǎn)移至美國(guó)，并持續(xù)游說芯片制造“五五分”的構(gòu)想，即美國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣各生產(chǎn)一半。

臺(tái)積電公布2026年資本支出計(jì)劃最高將達(dá)560億美元，較2025年實(shí)際支出大幅增長(zhǎng)37%，創(chuàng)下歷史新高。臺(tái)積電在美國(guó)的投資將超過2000億美元，已在亞利桑那州擴(kuò)展為獨(dú)立的超大晶圓廠聚落，建置6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠及1間研發(fā)中心。目前，首座晶圓廠已于2024年第四季進(jìn)入高量產(chǎn)階段，第二座晶圓廠建造已完成，預(yù)計(jì)2027年下半年進(jìn)入高量產(chǎn)階段，第三座晶圓廠已開工建造，臺(tái)積電也正申請(qǐng)第四座晶圓廠及首座先進(jìn)封裝廠的建造許可。

盡管如此，臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭強(qiáng)調(diào)，即便臺(tái)積電產(chǎn)能加速移轉(zhuǎn)，最尖端技術(shù)從中國(guó)臺(tái)灣移往海外量產(chǎn)仍需至少一年以上時(shí)間。預(yù)計(jì)至2030年，臺(tái)灣先進(jìn)工藝產(chǎn)能占比仍達(dá)約85%，美國(guó)約15%。

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