內(nèi)存價(jià)格的全面回落，很可能要等到2028年前后。這輪由AI算力需求引爆的漲價(jià)潮，已導(dǎo)致全球內(nèi)存供需嚴(yán)重失衡，短期內(nèi)難見根本性扭轉(zhuǎn)。

AI需求吞噬產(chǎn)能

當(dāng)前內(nèi)存漲價(jià)的根源，在于AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)的“黑洞式”吞噬。單臺(tái)AI服務(wù)器的內(nèi)存需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的8-10倍，像OpenAI“星際之門”這樣的項(xiàng)目，每月消耗的HBM晶圓量相當(dāng)于傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的3倍。

為了搶占高利潤的AI市場(chǎng)，三星、SK海力士、美光三大巨頭將超90%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向了生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）。更關(guān)鍵的是，生產(chǎn)同等容量的HBM，其消耗的晶圓面積是DDR5的2.5-3倍，且良率更低。這就好比原本用來種主食的農(nóng)田，被大量改種了經(jīng)濟(jì)作物，直接導(dǎo)致普通內(nèi)存的供應(yīng)斷崖式收縮。

產(chǎn)能釋放時(shí)間表

價(jià)格回落的前提是新增產(chǎn)能跟上，但這需要時(shí)間。海外巨頭的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃大多集中在2027年之后：

三星位于韓國龍仁的新晶圓廠預(yù)計(jì)2028年開始量產(chǎn)。

SK海力士在美國印第安納州和韓國清州的新工廠，也要等到2028年底才能完工投產(chǎn)。

美光在新加坡的HBM晶圓廠預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)，但其在美國紐約的DRAM晶圓廠則要等到2030年才能全面投產(chǎn)。

與此同時(shí)，國產(chǎn)存儲(chǔ)力量正在加速“補(bǔ)位”。長鑫存儲(chǔ)計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)HBM3規(guī)?；慨a(chǎn)，其上海新廠預(yù)計(jì)2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目標(biāo)是在2027年將DRAM全球份額提升至**10%**以上。TrendForce預(yù)測(cè)，2026年下半年HBM產(chǎn)能或逐步釋放，消費(fèi)級(jí)DRAM價(jià)格可能回調(diào)15%-20%。

市場(chǎng)分化與波動(dòng)

值得注意的是，內(nèi)存市場(chǎng)內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)顯著分化，不能一概而論。

HBM與高端DDR5：作為AI算力的剛需，其價(jià)格在產(chǎn)能大規(guī)模釋放前將保持高位。

消費(fèi)級(jí)DDR4：其價(jià)格波動(dòng)受炒作因素影響更大。2026年2月，DDR4現(xiàn)貨價(jià)格曾出現(xiàn)單日跌幅近20%的閃崩，這主要源于渠道囤貨泡沫的破裂。長期來看，隨著DDR5在PC和服務(wù)器領(lǐng)域的滲透率已達(dá)70%-80%，DDR4的需求將持續(xù)萎縮。

群智咨詢總經(jīng)理李亞琴指出，2026年二季度后內(nèi)存價(jià)格漲幅將逐季收斂。但整體而言，在2027年新增產(chǎn)能集中釋放之前，內(nèi)存市場(chǎng)仍將處于緊張狀態(tài)。一個(gè)由AI需求主導(dǎo)的“結(jié)構(gòu)性高價(jià)”時(shí)代，或許就是未來幾年的新常態(tài)。