在SK海力士、三星電子、美光科技陸續(xù)交出超預(yù)期財報后，國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)也開始進(jìn)入業(yè)績兌現(xiàn)階段。5月17日，上交所披露長鑫科技更新招股說明書，并恢復(fù)上市審核程序，審核狀態(tài)重新變更為“已受理”。與此同時，長鑫科技同步披露2026年一季度經(jīng)審閱財務(wù)數(shù)據(jù)。

數(shù)據(jù)顯示，今年一季度，公司實現(xiàn)營業(yè)收入508億元，同比增長719.13%；凈利潤330.12億元，同比增長1268.45%；經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量凈額達(dá)到425.66億元，同比增幅超過21235.10%。公司預(yù)計，2026年上半年營業(yè)收入將達(dá)到1100億至1200億元，凈利潤預(yù)計為660億至750億元。

隨著AI服務(wù)器、高性能計算與大模型訓(xùn)練需求快速增長，高性能DRAM逐漸成為AI基礎(chǔ)設(shè)施中最緊缺的核心器件之一，全球存儲行業(yè)進(jìn)入新一輪景氣周期。過去一年，海外存儲板塊持續(xù)走強，多家韓美存儲巨頭股價實現(xiàn)數(shù)倍上漲，部分產(chǎn)業(yè)鏈公司甚至走出10倍行情。

這一輪存儲景氣周期里，長鑫科技正在成為國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)中的重要角色。該公司為DRAM研發(fā)設(shè)計制造一體化（IDM）企業(yè)，提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多元化產(chǎn)品方案，產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器、移動設(shè)備、個人電腦、智能汽車等市場領(lǐng)域。按照產(chǎn)能、出貨量和銷售額統(tǒng)計，長鑫科技已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商?；贠mdia數(shù)據(jù)測算，按2025年第四季度DRAM銷售額統(tǒng)計，長鑫科技全球市場份額已增至7.67%，并有望隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)能擴張進(jìn)一步提升。

長鑫科技IPO補齊了A股原廠短板，市場關(guān)注點必然向具備晶圓制造與產(chǎn)能控制的原廠傾斜。這將重構(gòu)估值體系，推動板塊從題材炒作轉(zhuǎn)向業(yè)績落地，并有助于帶動上游設(shè)備材料等核心環(huán)節(jié)的估值重塑。事實上，長鑫科技被市場關(guān)注，并不僅僅因為業(yè)績爆發(fā)。過去幾年，A股“存儲板塊”的上漲邏輯，更多集中在模組、封裝、渠道與分銷環(huán)節(jié)。無論是佰維存儲、德明利，還是香農(nóng)芯創(chuàng)，本質(zhì)上都受益于存儲漲價、庫存周期與品牌運營，但并不掌握DRAM最核心的制造能力。

DRAM制造是典型的重資產(chǎn)、高研發(fā)、高資本開支行業(yè)，長期被三星電子、SK海力士與美光科技三大原廠壟斷。行業(yè)競爭的核心，不只是產(chǎn)品銷售，更是晶圓制造、工藝迭代、產(chǎn)能控制與資本投入能力?？紤]到存儲鏈核心壁壘，長鑫科技作為國內(nèi)DRAM原廠龍頭，將重塑板塊估值體系，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)鏈價值重估。

從技術(shù)路徑看，長鑫科技也是內(nèi)地DRAM產(chǎn)業(yè)少數(shù)完成自主迭代的企業(yè)。2019年，其首次推出自主設(shè)計生產(chǎn)的8Gb DDR4產(chǎn)品，實現(xiàn)內(nèi)地DRAM產(chǎn)業(yè)“從0到1”的突破。此后，其LPDDR5X產(chǎn)品最高速率達(dá)到10667Mbps，較上一代LPDDR5提升66%；首款國產(chǎn)DDR5產(chǎn)品速率達(dá)到8000Mbps，單顆最大容量24Gb。

事實上，長鑫科技研發(fā)投入仍在持續(xù)加碼。招股書顯示，2025年長鑫科技研發(fā)投入達(dá)到95.93億元，同比增長51.28%；2023年至2025年累計研發(fā)投入達(dá)到206.05億元。截至2025年底，公司累計專利數(shù)量達(dá)到6972件，并已完成從第一代到第四代工藝平臺的量產(chǎn)迭代，產(chǎn)品覆蓋DDR4、LPDDR4X至DDR5、LPDDR5/5X等多個世代。與此同時，長鑫科技也開始進(jìn)入國內(nèi)主流終端與云廠商供應(yīng)鏈。根據(jù)招股書，公司目前已與阿里云、字節(jié)跳動、騰訊、聯(lián)想集團、小米集團、傳音控股、榮耀、OPPO及vivo等客戶展開合作，其市場份額也在持續(xù)提升。

經(jīng)歷數(shù)月的快速上漲后，存儲市場近期開始出現(xiàn)階段性波動。今年4月前后DRAM現(xiàn)貨價較高點出現(xiàn)小幅回調(diào)。數(shù)據(jù)顯示，DXI、DRAM及NAND價格指數(shù)在階段性沖高后，均較高點出現(xiàn)回調(diào)。但市場普遍認(rèn)為，這更像是短期交易層面的擾動，而非行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)。

招商證券在研報中指出，前期現(xiàn)貨價漲幅過高導(dǎo)致買方承接意愿低迷，疊加部分貿(mào)易商資金周轉(zhuǎn)壓力下降價變現(xiàn)，短期內(nèi)買方普遍觀望、以消化庫存為主。不過，相比波動更大的現(xiàn)貨市場，反映真實供需關(guān)系的合約價格仍在持續(xù)上漲。根據(jù)TrendForce預(yù)測，2026年第二季度傳統(tǒng)DRAM合約價格環(huán)比漲幅仍將達(dá)到58%至63%。

需求方面，根據(jù)TrendForce預(yù)計，2026年全球九大CSP合計資本支出將達(dá)約8300億美元，同比增長79%，共同驅(qū)動從HBM、Server DRAM到eSSD、HDD的全棧式需求增長。庫存方面，三星、海力士、美光、南亞科今年一季度庫存維持低位，美光DRAM庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)已降至120天以下的緊張水平。

事實上，供需缺口仍在進(jìn)一步擴大。根據(jù)SemiAnalysis，2026年DRAM供應(yīng)低于需求約7%，其中HBM缺口6%、2027年進(jìn)一步擴大至9%，通用DRAM未來兩年也將維持約7%的結(jié)構(gòu)性缺口。根據(jù)宇瞻預(yù)計，2026年DRAM供需缺口將繼續(xù)維持，DRAM價格仍有充足的上行動能，緊缺周期持續(xù)時間顯著拉長。

在業(yè)內(nèi)看來，這意味著存儲產(chǎn)業(yè)景氣周期仍遠(yuǎn)未結(jié)束。2026年DRAM市場供需缺口貫穿全年，AI服務(wù)器需求虹吸效應(yīng)主導(dǎo)格局，但價格漲幅呈明顯收窄態(tài)勢。需警惕2027年巨頭擴產(chǎn)、需求波動帶來的周期回調(diào)壓力。2026下半年，DRAM漲勢延續(xù)但漲幅會收窄，品類分化趨勢明顯。長鑫科技受益于周期紅利與產(chǎn)能滿載，業(yè)績高增確定性強。