5月27日,上交所上市委發(fā)布公告,長鑫科技科創(chuàng)板IPO過會。此前已有報道指出,長鑫科技正在加速沖刺科創(chuàng)板IPO。

從申請到過會,長鑫科技僅用了148天時間。作為科創(chuàng)板試點IPO預先審閱機制后的首單受理項目,此次過會后公司將進入注冊程序。證監(jiān)會注冊同意后,公司將正式啟動招股并登陸A股市場。

作為中國第一大DRAM原廠,長鑫科技計劃公開發(fā)行不超過106.22億股,占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%。發(fā)行后總股本不超過708.15億股。憑借良好的盈利基本面和AI算力高景氣賽道帶來的估值紅利,有市場機構預計其市值有望沖擊2萬億元至3萬億元區(qū)間。此次公司擬募資295億元,將成為2026年以來A股最大IPO。

長鑫科技專注于動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產和銷售。公司現已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化產品布局,并可提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多樣化的產品方案,能夠滿足服務器、移動設備、個人電腦、智能汽車等市場需求。公司在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠。根據Omdia的數據,按照產能和出貨量統計,公司已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。

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