存儲芯片概念回暖超級周期啟動(2)

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2025-11-03 14:53:58 新浪財經(jīng)

此外，自去年三季度起，存儲芯片廠商將部分傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、HBM等更高利潤的產(chǎn)品。三大DRAM制造商之一的SK海力士預計，到2026年，HBM晶圓加工量將占其所有產(chǎn)品晶圓加工量的最大比重。這導致DDR4、LPDDR4X等舊制程DRAM產(chǎn)品存在產(chǎn)能短缺問題。

隨著供需失衡，DDR4、LPDDR4X價格自二季度起開啟漲價潮，并將持續(xù)至年底。TrendForce預計，由于三大DRAM原廠優(yōu)先分配先進制程產(chǎn)能給高階服務器DRAM和HBM，今年四季度舊制程DRAM價格漲幅將依舊可觀，整體價格將環(huán)比增長8%~13%，HBM價格環(huán)比增長13%~18%。

A股市場對此輪“超級周期”反應熱烈。Wind數(shù)據(jù)顯示，存儲器指數(shù)近一周區(qū)間漲跌幅為11.84%。截至10月30日，近一周以來，江波龍、普冉股份、大為股份累計漲幅居前。國內(nèi)廠商正加速擁抱AI，有的聚焦HBM、DDR5等高附加值領(lǐng)域，如賽騰股份通過收購日本Optima掌握HBM全制程量測技術(shù)。兆易創(chuàng)新逐步從低端NOR Flash產(chǎn)品拓展到NAND Flash和全線利基型DRAM產(chǎn)品，并向MCU延伸，股價近期突破歷史最高值。

國元證券研究認為，長鑫產(chǎn)能的持續(xù)釋放將進一步帶動公司在Dram業(yè)務上的出貨，市場利基型DDR需求保持旺盛，四季度仍具有一定的價格上升空間。江波龍近期發(fā)布了與HBM應用互補的創(chuàng)新內(nèi)存SOCAMM2產(chǎn)品，能顯著降低AI推理延遲。企業(yè)前三季度財報表現(xiàn)樂觀，營業(yè)收入同比增長26.12%，歸屬于上市公司股東的凈利潤同比增長27.95%。

除了A股市場的股價狂漲和業(yè)績超預期，長鑫科技、長江存儲這兩家正在打開資本市場大門的公司也給市場帶來想象空間。長江存儲將重點推進3D NAND芯片產(chǎn)能爬坡，力爭到2026年占據(jù)全球NAND閃存市場15.00%的份額。長鑫科技子公司長鑫存儲近期宣布已量產(chǎn)高端移動存儲芯片LPDDR5X產(chǎn)品，覆蓋最高達10667Mbps速率，達到業(yè)界先進水平。

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