復(fù)旦大學(xué)在集成電路領(lǐng)域取得了關(guān)鍵突破。由周鵬和劉春森團(tuán)隊研制的“破曉”皮秒閃存器件,擦寫速度達(dá)到400皮秒,相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作,成為目前人類掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲器件。相關(guān)研究成果于北京時間4月16日發(fā)表在國際期刊《自然》上。
電荷存儲器是信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)。個人電腦中的“內(nèi)存”和“硬盤”是兩種典型的電荷存儲器?!皟?nèi)存”,包括靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM,在斷電后會丟失數(shù)據(jù),這種易失性限制了其在低功耗條件下的應(yīng)用。而“硬盤”,以閃存為代表的非易失性存儲器,在斷電后不會丟失數(shù)據(jù),但由于其編程速度遠(yuǎn)低于晶體管開關(guān)速度,難以滿足需要高速存取大量數(shù)據(jù)的場合,例如AI計算等場景。
針對AI計算所需的算力與能效要求,存儲技術(shù)亟需突破。研究團(tuán)隊通過解決集成電路領(lǐng)域的基礎(chǔ)科學(xué)問題,即超越信息的非易失存取速度極限,實現(xiàn)了這一目標(biāo)。他們發(fā)現(xiàn)了一種電荷存儲的“超注入”機(jī)制,重新定義了現(xiàn)有存儲技術(shù)邊界,并成功研制出“破曉”皮秒閃存器件,其性能超越同技術(shù)節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù)。目前,相關(guān)產(chǎn)品正在嘗試小規(guī)模量產(chǎn)。