我國(guó)研發(fā)全新架構(gòu)閃存芯片 創(chuàng)新突破引領(lǐng)未來(lái)!10月10日,復(fù)旦大學(xué)科院團(tuán)隊(duì)在二維閃存技術(shù)領(lǐng)域取得新突破。10月8日晚,該團(tuán)隊(duì)在國(guó)際頂級(jí)期刊《自然》上發(fā)表了一項(xiàng)研究成果,題為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》,這一成果為應(yīng)對(duì)摩爾定律物理極限挑戰(zhàn)提供了全新解決方案。
面對(duì)傳統(tǒng)硅基芯片性能逼近極限的困境,原子級(jí)厚度的二維半導(dǎo)體被國(guó)際學(xué)界視為破局關(guān)鍵。復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)提出“長(zhǎng)纓(CY-01)架構(gòu)”,將超快閃存器件“破曉”與成熟硅基CMOS工藝深度融合,以“先分后合”策略實(shí)現(xiàn)二維材料與硅基電路的高效集成,芯片良率達(dá)到94.3%。
該芯片支持8-bit指令操作與32-bit高速并行處理,性能遠(yuǎn)超現(xiàn)有閃存技術(shù)。研究團(tuán)隊(duì)表示,這一“源技術(shù)”有望顛覆傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu),為人工智能、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域提供更高速、低能耗的存儲(chǔ)方案。未來(lái),團(tuán)隊(duì)計(jì)劃通過(guò)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作,推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)走向市場(chǎng)。
時(shí)隔半年,繼“破曉(PoX)”皮秒閃存器件問(wèn)世后,復(fù)旦大學(xué)在二維電子器件工程化道路上再次取得重大突破
2025-10-09 22:36:45全球首顆時(shí)隔半年,繼“破曉(PoX)”皮秒閃存器件問(wèn)世后,復(fù)旦大學(xué)在二維電子器件工程化道路上再獲重大突破
2025-10-09 22:39:40全球首顆全新架構(gòu)閃存芯片問(wèn)世