臺積電日前宣布2納米制程已于2025年第四季度正式量產，同時透露1.4納米工藝的研發(fā)工作也已順利展開，相關工廠建設正加速推進。預計1.4納米工藝的風險性試產將在2027年啟動。

這一系列進展鞏固了臺積電在晶圓代工領域的主導地位，并標志著全球半導體物理制造進入全新的1納米時代。當前全球半導體制造版圖中，臺積電占據絕對主導，三星奮力追趕，英特爾則試圖通過技術革新實現彎道超車。三星希望通過率先應用GAA架構來超越競爭對手；英特爾則在“五年四個節(jié)點”戰(zhàn)略驅動下，試圖通過制程之爭重回巔峰。

目前，臺積電尚未披露采用其1.4納米制程的客戶名單。但據媒體報道，蘋果已拿下臺積電2納米初期半數以上的產能，用于生產A20和A20 Pro芯片，市場預計蘋果大概率會再度成為1.4納米的最大客戶。

半導體先進制程的研發(fā)節(jié)奏緊湊，量產一代之際，下一代預研便已開始?？紤]到全球市場對AI算力的巨大需求，2納米至1.4納米的過渡間隔或將縮短，其量產進程或將進一步提前。

臺積電作為全球半導體制造領域的領頭羊，一直以其精準的時鐘節(jié)奏著稱。此次2納米的量產與1.4納米的推進依然如此。最新量產的2納米工藝（N2）采用第一代納米片晶體管架構，在能耗與性能上有較大改進。相同功耗下性能提升10%—15%，相同性能下功耗降低25%—30%，晶體管密度提升約20%。臺積電CEO魏哲家表示，2納米良率表現良好，2026年將在智能手機與AI/HPC需求推動下加速產能爬坡。

對于正在推進的1.4納米制程，已釋出的信息顯示，其技術路線被視為臺積電“漸進式更小節(jié)點”的戰(zhàn)略。一方面繼續(xù)在N2上滾動優(yōu)化，另一方面推進研發(fā)與產線前置建設，以便在N2成熟后迅速轉入下一代節(jié)點的試產與放量。1.4納米制程或延續(xù)GAA架構并引入超級電軌背面供電技術，重點優(yōu)化AI芯片與高性能計算場景的性能表現。目標是在2027年前后啟動風險試產，2028年前后逐步進入量產。

三星和英特爾是臺積電的主要競爭對手。三星從2022年開始實現3納米GAA工藝量產，與臺積電針鋒相對。三星計劃在2027年前后推進1.4納米級別的制程投產。高通CEO安蒙透露，已就2納米芯片代工與三星進行積極洽談，目標是盡快實現商業(yè)量產。三星的優(yōu)勢在于設備整合、封裝等關鍵環(huán)節(jié)的一體化協(xié)同，但挑戰(zhàn)在于持續(xù)改善良率。近年來，三星曾在某些關鍵節(jié)點上暴露出良率低的問題，導致部分客戶轉單或拖延。

英特爾以“回歸制造”與“代工廠擴張”為雙重目標，提出包括18A（等同于1.8納米級別）、14A（等同于1.4納米級別）等命名的路線，并通過美國官方投資法案與巨額資本投入，加速本土產能擴張。18A制程引入RibbonFET（GAA晶體管）與PowerVia（背面供電）雙重技術，已于2025年進入量產階段，預計在2026年擴大商業(yè)化應用。

伴隨1.4納米制程進入研發(fā)周期，全球半導體產業(yè)價值有望迎來新一輪增長，同時推動下游應用領域的技術革新。進入2納米制程后，1.4納米將不只是一個孤立的技術節(jié)點，而是連接智能終端、云端AI、邊緣計算與汽車電子等多重場景的關鍵橋梁。AI芯片、智能駕駛、高端消費電子是1.4納米工藝的核心應用場景。據預測，到2030年，全球先進制程（5納米以下）代工市場規(guī)模將突破1200億美元，其中1.4納米及以下節(jié)點將占據高端邏輯芯片產值的40%以上。

對于市場競爭格局，若臺積電在1.4納米上能夠快速提升良率并與大客戶綁定，其領先優(yōu)勢將進一步放大。反之，若三星或英特爾通過差異化技術或本地化政策工具成功爭取到高價值訂單，則全球高端代工市場可能出現更明顯的“分區(qū)化”競爭。中國市場方面，以中芯國際為代表的廠商在成熟制程領域持續(xù)擴產，同時加大先進技術研發(fā)投入。預計2030年中國大陸有望以30%的全球晶圓代工產能份額，成為全球最大代工中心。