1.8納米的芯片里面有什么 兩大革命性技術(shù)揭秘!英特爾最近宣布了名為“18A”的尖端制程工藝,計劃在2024年下半年投入生產(chǎn)。雖然“1.8納米”聽起來比臺積電的2納米更先進,但對普通用戶來說,這個數(shù)字本身意義不大,它更多是一個技術(shù)代際的符號。真正重要的是,這一技術(shù)進步意味著晶體管密度再次飛躍,芯片能在更小的面積里塞進更多計算單元,帶來更強性能和更低功耗。英特爾此舉意在重新奪回在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)導地位,高端制程的競爭已經(jīng)進入白熱化階段。
這顆1.8納米芯片內(nèi)部的核心是兩項顛覆性技術(shù)。首先是晶體管結(jié)構(gòu)的革新。英特爾放棄了使用多年的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管),轉(zhuǎn)向了全新的RibbonFET(納米片晶體管)。RibbonFET通過堆疊多個水平的納米片作為電流通道,讓柵極能四面包裹,對電流的控制力更強。這意味著晶體管能在更高性能下顯著降低漏電,解決了芯片越小、漏電越大的問題。另一項技術(shù)是供電方式的改進——PowerVia(背面供電)技術(shù)。傳統(tǒng)芯片中,供電線和信號線交錯在同一層,互相干擾。PowerVia技術(shù)將整個供電網(wǎng)絡(luò)單獨移到芯片的硅基板背面,使正面的信號傳輸更加順暢。這兩項技術(shù)共同作用,使得1.8納米芯片性能提升最高可達40%。
英特爾18A工藝的野心不僅僅是為了造出更快的酷睿處理器。它的高性能與高能效特性正瞄準更廣闊的市場,如人工智能、圖形處理甚至自動駕駛汽車。例如,英特爾的AI加速芯片Gaudi 3以及未來的顯卡Battlemage都有望采用這一先進工藝,以應(yīng)對英偉達等對手的競爭。此外,英特爾已敞開代工大門,像微軟這樣的巨頭也計劃利用18A工藝來定制自研的AI芯片。這意味著未來的芯片世界格局可能被徹底重塑,我們手中的設(shè)備可能會因此更快、更智能、更持久。整個計算生態(tài)的競爭已經(jīng)進入了新的維度。
隨著半導體先進制程進入2納米時代,其終端設(shè)備的價格與成本受到廣泛關(guān)注
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