隨著AI芯片的不斷迭代升級(jí),數(shù)據(jù)中心光模塊已經(jīng)從400G、800G發(fā)展到1.6T。根據(jù)LightCounting今年1月發(fā)布的數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2026年全球以太網(wǎng)光模塊市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到260.84億美元,其中800G及1.6T光模塊的滲透率相比2023年將提升53.67個(gè)百分點(diǎn)。在這一趨勢(shì)下,3.2T光模塊可能迎來(lái)加速導(dǎo)入。LightCounting預(yù)測(cè),2028年3.2T光模塊市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到13.96億美元,并在2031年進(jìn)一步增長(zhǎng)至240億美元。
3.2T光模塊單通道調(diào)制速率需達(dá)到400G,華泰證券認(rèn)為這為薄膜鈮酸鋰提供了導(dǎo)入機(jī)會(huì)。據(jù)其測(cè)算,到2031年,僅3.2T光模塊帶動(dòng)的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器市場(chǎng)空間就可能接近30億元,對(duì)應(yīng)2029年至2031年的復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)271%。中金公司也指出,在光調(diào)制器領(lǐng)域,薄膜鈮酸鋰相比磷化銦和硅基材料,在高帶寬、低驅(qū)動(dòng)電壓和高線(xiàn)性度等方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。因此,薄膜鈮酸鋰有望成為未來(lái)更高速光傳輸調(diào)制環(huán)節(jié)的重要材料。