ASML最新光刻機開始量產芯片 High-NA技術引領未來。ASML CEO傅恪禮近日宣布,首批采用新一代高數值孔徑EUV光刻機制造的芯片產品將在未來數月內問世,涵蓋邏輯芯片和存儲芯片兩大核心領域。這種High-NA EUV光刻機是面向2nm以下先進制程的核心圖形化設備,能夠降低頂尖芯片的電路光刻成型成本,并適配AI芯片、HBM/DRAM等高端存儲芯片的制造需求。
盡管設備初期投入高昂,但設計初衷是隨著技術成熟與規(guī)?;瘧茫鸩綌偙晤w芯片的光刻成本。數周前,臺積電曾公開表示,單臺High-NA EUV光刻機造價高達4億美元,約為現有EUV設備的兩倍,暫不具備大規(guī)模采用的條件。相比之下,英特爾則積極采購High-NA EUV光刻機,并已在波特蘭工廠完成兩臺設備的安裝,累計處理超過3萬片晶圓,目標是在2027至2028年實現14A制程大規(guī)模量產。
SK海力士也明確表示計劃采用該新技術,預計今年首次導入,用于下一代DRAM內存的生產。相較于傳統(tǒng)EUV,High-NA通過提升光學系統(tǒng)分辨率,可實現尺寸縮小高達66%的特征,相當于相機對焦更為精準,是突破先進制程物理極限的關鍵技術。
光刻機在芯片制造中扮演著關鍵角色,荷蘭ASML在這一領域占據主導地位,尤其是其EUV設備幾乎壟斷了高端市場,DUV設備也占據了大部分市場份額
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