長(zhǎng)鑫科技 從“碎鈔機(jī)”到“印鈔機(jī)”的逆襲之路。長(zhǎng)鑫科技2026年一季度的財(cái)報(bào)顯示，其營(yíng)收達(dá)到508億，凈利潤(rùn)247億，單日盈利接近4億。值得注意的是，在2025年底，公司還累積了366.5億的虧損，但僅用92天就賺回了過去十年燒掉的錢。從“碎鈔機(jī)”到“印鈔機(jī)”，長(zhǎng)鑫科技經(jīng)歷了什么？

長(zhǎng)鑫科技專注于DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）領(lǐng)域，這一市場(chǎng)長(zhǎng)期被韓國(guó)三星、SK海力士和美國(guó)美光三家寡頭壟斷，占據(jù)全球市場(chǎng)份額超過90%。近年來AI大模型的爆發(fā)導(dǎo)致中高端消費(fèi)級(jí)DRAM供應(yīng)短缺，價(jià)格自2025年下半年開始大幅上漲，2026年第一季度環(huán)比漲幅達(dá)90%以上。

面對(duì)漲價(jià)紅利，長(zhǎng)鑫科技之所以能吃到最大的一塊，關(guān)鍵在于它在行業(yè)低谷期的逆勢(shì)投資。2023年至2025年，半導(dǎo)體行業(yè)整體低迷，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手紛紛收縮時(shí)，長(zhǎng)鑫科技卻投入超過1600億用于廠房、產(chǎn)線和研發(fā)，為后來的崛起打下了基礎(chǔ)。這表明，風(fēng)口不是追來的，而是通過提前布局抓住機(jī)會(huì)。

除了資金投入，技術(shù)突破也是長(zhǎng)鑫科技成功的關(guān)鍵。面對(duì)三星等巨頭的專利封鎖，長(zhǎng)鑫采取了“跳代研發(fā)”策略，直接從28nm跨代直攻19nm工藝。目前，長(zhǎng)鑫已實(shí)現(xiàn)多代工藝平臺(tái)的大規(guī)模量產(chǎn)，良品率超過95%，核心技術(shù)指標(biāo)與三星和美光相當(dāng)。此外，長(zhǎng)鑫在全球申請(qǐng)了超過5500件專利，并實(shí)現(xiàn)了約40%的產(chǎn)線設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率，對(duì)整個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈起到了推動(dòng)作用。

長(zhǎng)鑫科技的第一大股東是合肥國(guó)資，持股約45%。合肥國(guó)資不僅提供了大量資金支持，還在公司巨額虧損期間沒有撤退，展現(xiàn)了罕見的耐心資本。這種政府引導(dǎo)科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的模式在全球范圍內(nèi)都較為少見，體現(xiàn)了尋找長(zhǎng)期且有耐心的資金的重要性。

盡管長(zhǎng)鑫科技表現(xiàn)出色，但市場(chǎng)預(yù)測(cè)其IPO發(fā)行市盈率僅為2倍，遠(yuǎn)低于其他半導(dǎo)體公司的平均市盈率。主要原因之一是未來DRAM價(jià)格波動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)，以及長(zhǎng)鑫在HBM（高帶寬內(nèi)存）領(lǐng)域的滯后。因此，長(zhǎng)鑫需要在普通DRAM價(jià)格回落前攻克HBM，參與下一代DDR6國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定，以確保持續(xù)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。

對(duì)于創(chuàng)業(yè)者而言，這個(gè)故事的啟示在于：在困難時(shí)期沉下心來解決問題，而不是追逐短期風(fēng)口；找到愿意長(zhǎng)期支持的資金；將獲得的利潤(rùn)轉(zhuǎn)化為更高的技術(shù)壁壘，從而具備穿越周期的能力。只有這樣，才能在未來取得真正的成功。