美國首批采用國產(chǎn)7nm制程工藝的麒麟9100芯片曝光,其性能達(dá)到8gen1水平,采用了全新CPU架構(gòu)設(shè)計(jì),GPU和AI性能大幅提升,整體能效進(jìn)一步優(yōu)化。這一代Mate解決了處理器功耗高的問題,意味著華為Mate70搭載麒麟9100后,恢復(fù)到了2020年的水平。
美國禁止高通向華為出售高端芯片,但華為也拒絕使用驍龍6Gen1。高通公司技術(shù)許可業(yè)務(wù)總裁Alex Rogers曾表示,希望華為手機(jī)不要全面放棄驍龍芯片,并呼吁雙方繼續(xù)深化合作。
前不久,高通發(fā)布了首款3nm芯片驍龍8至尊版,其CPU性能比上一代提升45%,是高通迄今為止性能最強(qiáng)的芯片。然而,在國產(chǎn)手機(jī)中,只有華為沒有參與推廣這款芯片。
華為正在研發(fā)原生鴻蒙系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)底座的全部自研,流暢度、性能和安全特性顯著提升,不遜色于安卓旗艦機(jī)。在軟硬件協(xié)同下,系統(tǒng)流暢度甚至領(lǐng)先于安卓旗艦機(jī)。
據(jù)稱,麒麟9100是7nm工藝,等效于5nm。目前正處于“卡脖子”的第三階段,即“好用”階段。但要達(dá)到3nm制程上的突破仍然困難重重。在全球產(chǎn)業(yè)鏈分工合作背景下,國內(nèi)芯片可以通過借用其他國家的技術(shù)和設(shè)備達(dá)到發(fā)達(dá)水平,但由于制程工業(yè)上的限制,華為可能在很長一段時(shí)間內(nèi)只能制造出5納米芯片。
在5nm及以下先進(jìn)制程領(lǐng)域,目前僅有臺(tái)積電和三星兩家公司,近乎形成雙寡頭格局。3nm工藝嚴(yán)格來說,只有臺(tái)積電能達(dá)到足夠高的良率和工藝水平。中國在芯片設(shè)計(jì)和加工工藝上的差距不大,主要瓶頸在于光刻機(jī)。EUV制造所需的極紫外線光源、高精度反射鏡面、復(fù)合材料、光刻膠和高純度化學(xué)品等高精密零件與專利眾多,這些都成為關(guān)鍵問題。
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