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快一百萬倍！全球最快半導體電荷存儲技術發(fā)布

2025-04-18 09:52:57 來源：央視新聞客戶端 A+A-

原標題：“破曉”比傳統(tǒng)閃存快一百萬倍！全球最快半導體電荷存儲技術發(fā)布

復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術研究院科研團隊日前發(fā)布一項半導體電荷存儲技術，每秒可執(zhí)行25億次操作，這是迄今為止全球最快的半導體電荷存儲技術。這一成果已在國際知名學術期刊《自然》發(fā)表。

“破曉”每秒可執(zhí)行25億次操作

復旦大學科研團隊將這個存儲器命名為“破曉”，只有1平方厘米大小，外觀和普通存儲器別無二致，然而它通過創(chuàng)新的物理機制，將存儲器擦寫速度提升到400皮秒實現(xiàn)一次擦或者寫，一皮秒只相當于一萬億分之一秒?！捌茣浴边@個速度相當于每秒可執(zhí)行25億次操作，比傳統(tǒng)閃存快一百萬倍。

快一百萬倍！全球最快半導體電荷存儲技術發(fā)布

復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室研究員劉春森：這一速度的提升是極具突破性的，完全打破了現(xiàn)有的存儲技術框架的理論瓶頸。

快一百萬倍！全球最快半導體電荷存儲技術發(fā)布

據(jù)介紹，團隊科研人員提出了全新的提速思路，這一創(chuàng)新不僅實現(xiàn)了速度上的巨大突破，而且這種新型存儲器在掉電的情況下，數(shù)據(jù)也不會丟失。

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