存儲芯片漲價潮席卷全球，國產(chǎn)半導體設(shè)備迎歷史性機遇 AI需求引爆存儲大周期(2)

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2026-01-07 08:48:50 第一財經(jīng)

A股市場同步演繹存儲行情。1月6日，存儲器指數(shù)強勢拉升，成份股中普冉股份、恒爍股份、北京君正、兆易創(chuàng)新等多股漲幅居前，半導體設(shè)備跟漲，北方華創(chuàng)、拓荊科技、中科飛測等股盤中創(chuàng)歷史新高，金海通收盤漲停創(chuàng)歷史新高。

多家機構(gòu)在近期研報中指出，國產(chǎn)半導體設(shè)備與材料企業(yè)將直接受益于國內(nèi)存儲原廠的高稼動率與持續(xù)擴產(chǎn)計劃，尤其在前道制程、量測、清洗、CMP等環(huán)節(jié)已實現(xiàn)突破的企業(yè)，訂單能見度正在提升，因此被視為此輪存儲大周期的先行受益板塊，伴隨需求持續(xù)釋放，原廠擴產(chǎn)都必須率先采購設(shè)備，設(shè)備企業(yè)的業(yè)績能見度較高，成為資金在產(chǎn)業(yè)周期早期重點布局的方向。

隨著海外原廠將資本開支傾斜于HBM為代表的高端存儲產(chǎn)品，傳統(tǒng)存儲的供需缺口具有持續(xù)性，因此國內(nèi)存儲廠商擴產(chǎn)的緊迫性不斷上升，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)正迎來關(guān)鍵發(fā)展窗口。日前，最受市場關(guān)注的是長鑫科技IPO進展，該公司作為全球第四大DRAM原廠，在本輪行業(yè)上行周期中業(yè)績顯著改善，2025年營收預(yù)計達550億~580億元，第四季度毛利率有望突破40%，并可能在2026年實現(xiàn)扭虧為盈。目前，長鑫擁有合肥與北京三座12英寸晶圓廠，預(yù)計2026年全部達產(chǎn)，產(chǎn)品已覆蓋DDR5、LPDDR5X等主流技術(shù)平臺。

尤其值得關(guān)注的是長鑫科技募投計劃，公司擬募集資金295億元，主要用于三方面：量產(chǎn)線技改、DRAM技術(shù)升級及前瞻技術(shù)研發(fā)。其中，量產(chǎn)線技改項目將投入75億元，逐步向中高端產(chǎn)品切換工藝，并同步推動本土設(shè)備、材料、零部件的合作，設(shè)備購置安裝費用約46.66億元；DRAM技術(shù)升級項目總投資180億元，設(shè)備購置安裝占174億元，計劃2025年第四季度啟動采購，2026至2027年分批完成設(shè)備搬入。這些項目大部分設(shè)備導入預(yù)計在2027年底前完成，2028年上半年進行驗收。

3D NAND堆疊與DRAM技術(shù)迭代，使得刻蝕、薄膜沉積設(shè)備等核心設(shè)備的使用量和價值量大幅提升。特別是在設(shè)備與材料環(huán)節(jié)，隨著龍頭企業(yè)的產(chǎn)能規(guī)模提升與技術(shù)迭代，本土具備卡位優(yōu)勢的廠商將迎來訂單放量機會，國產(chǎn)替代進程將在存儲領(lǐng)域進一步提速。

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(責任編輯：zx0176)

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