在全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)緊張、價(jià)格飆升的背景下，A股半導(dǎo)體設(shè)備板塊迎來(lái)強(qiáng)勢(shì)上漲。2026年1月6日，北方華創(chuàng)、拓荊科技、中科飛測(cè)等設(shè)備龍頭股盤中集體刷新歷史新高，市場(chǎng)資金積極涌入。這一行情直接受到行業(yè)漲價(jià)信號(hào)的刺激，有消息稱，三星電子與SK海力士計(jì)劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較上一季度提升60%~70%。

2026年伊始，自2024年末以來(lái)的存儲(chǔ)漲價(jià)潮沒有絲毫放緩的跡象，主要原因是人工智能服務(wù)器需求的爆發(fā)導(dǎo)致先進(jìn)制程產(chǎn)能向HBM等高端應(yīng)用傾斜，擠壓了其他市場(chǎng)的供給，引發(fā)全行業(yè)價(jià)格快速上漲。

在此輪全球存儲(chǔ)大周期中，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)龍頭長(zhǎng)鑫科技近日IPO獲受理，擬募資295億元投向技改與研發(fā)，計(jì)劃2027年底前完成大部分設(shè)備導(dǎo)入。其產(chǎn)能爬坡與技術(shù)追趕被視為拉動(dòng)國(guó)產(chǎn)設(shè)備與材料環(huán)節(jié)需求的關(guān)鍵力量。行業(yè)高景氣延續(xù)之際，市場(chǎng)普遍預(yù)期，存儲(chǔ)漲價(jià)周期疊加國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)提速，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備板塊將率先受益，業(yè)績(jī)確定性凸顯。

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷前所未有的價(jià)格暴漲周期，漲價(jià)的核心驅(qū)動(dòng)在于人工智能浪潮帶來(lái)的結(jié)構(gòu)性供需失衡。根據(jù)TrendForce調(diào)查，2026年第一季度，DRAM原廠將大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程產(chǎn)能至服務(wù)器與HBM應(yīng)用，以滿足AI服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，導(dǎo)致消費(fèi)電子、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的通用型DRAM供給嚴(yán)重緊縮。

受持續(xù)短缺和供應(yīng)鏈調(diào)整的影響，自2024年底以來(lái)，部分內(nèi)存模組現(xiàn)貨價(jià)格漲幅已達(dá)驚人水平，其中DDR4 16Gb模塊價(jià)格甚至在一年內(nèi)飆升約1800%，創(chuàng)下近年內(nèi)存市場(chǎng)最大漲幅紀(jì)錄，并且截至目前，存儲(chǔ)漲價(jià)勢(shì)頭仍看不到絲毫緩和的跡象。

漲價(jià)預(yù)期下，資本市場(chǎng)大力追捧存儲(chǔ)原廠。三星1月以來(lái)漲超15%，續(xù)創(chuàng)歷史新高，2025年以來(lái)已經(jīng)漲超160%；SK海力士1月以來(lái)漲逾11%，距離刷新歷史高點(diǎn)只差6%。

A股市場(chǎng)同步演繹存儲(chǔ)行情。1月6日，存儲(chǔ)器指數(shù)強(qiáng)勢(shì)拉升，成份股中普冉股份、恒爍股份、北京君正、兆易創(chuàng)新等多股漲幅居前，半導(dǎo)體設(shè)備跟漲，北方華創(chuàng)、拓荊科技、中科飛測(cè)等股盤中創(chuàng)歷史新高，金海通收盤漲停創(chuàng)歷史新高。

多家機(jī)構(gòu)在近期研報(bào)中指出，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)將直接受益于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)原廠的高稼動(dòng)率與持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，尤其在前道制程、量測(cè)、清洗、CMP等環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)突破的企業(yè)，訂單能見度正在提升，因此被視為此輪存儲(chǔ)大周期的先行受益板塊，伴隨需求持續(xù)釋放，原廠擴(kuò)產(chǎn)都必須率先采購(gòu)設(shè)備，設(shè)備企業(yè)的業(yè)績(jī)能見度較高，成為資金在產(chǎn)業(yè)周期早期重點(diǎn)布局的方向。

隨著海外原廠將資本開支傾斜于HBM為代表的高端存儲(chǔ)產(chǎn)品，傳統(tǒng)存儲(chǔ)的供需缺口具有持續(xù)性，因此國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)的緊迫性不斷上升，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)關(guān)鍵發(fā)展窗口。日前，最受市場(chǎng)關(guān)注的是長(zhǎng)鑫科技IPO進(jìn)展，該公司作為全球第四大DRAM原廠，在本輪行業(yè)上行周期中業(yè)績(jī)顯著改善，2025年?duì)I收預(yù)計(jì)達(dá)550億~580億元，第四季度毛利率有望突破40%，并可能在2026年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。目前，長(zhǎng)鑫擁有合肥與北京三座12英寸晶圓廠，預(yù)計(jì)2026年全部達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)品已覆蓋DDR5、LPDDR5X等主流技術(shù)平臺(tái)。

尤其值得關(guān)注的是長(zhǎng)鑫科技募投計(jì)劃，公司擬募集資金295億元，主要用于三方面：量產(chǎn)線技改、DRAM技術(shù)升級(jí)及前瞻技術(shù)研發(fā)。其中，量產(chǎn)線技改項(xiàng)目將投入75億元，逐步向中高端產(chǎn)品切換工藝，并同步推動(dòng)本土設(shè)備、材料、零部件的合作，設(shè)備購(gòu)置安裝費(fèi)用約46.66億元；DRAM技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目總投資180億元，設(shè)備購(gòu)置安裝占174億元，計(jì)劃2025年第四季度啟動(dòng)采購(gòu)，2026至2027年分批完成設(shè)備搬入。這些項(xiàng)目大部分設(shè)備導(dǎo)入預(yù)計(jì)在2027年底前完成，2028年上半年進(jìn)行驗(yàn)收。

3D NAND堆疊與DRAM技術(shù)迭代，使得刻蝕、薄膜沉積設(shè)備等核心設(shè)備的使用量和價(jià)值量大幅提升。特別是在設(shè)備與材料環(huán)節(jié)，隨著龍頭企業(yè)的產(chǎn)能規(guī)模提升與技術(shù)迭代，本土具備卡位優(yōu)勢(shì)的廠商將迎來(lái)訂單放量機(jī)會(huì)，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程將在存儲(chǔ)領(lǐng)域進(jìn)一步提速。