臺(tái)積電日前宣布2納米制程已于2025年第四季度正式量產(chǎn)，同時(shí)透露1.4納米工藝的研發(fā)工作也已順利展開(kāi)，相關(guān)工廠(chǎng)建設(shè)正加速推進(jìn)。預(yù)計(jì)1.4納米工藝的風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)將在2027年啟動(dòng)。

這一系列進(jìn)展鞏固了臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域的主導(dǎo)地位，并標(biāo)志著全球半導(dǎo)體物理制造進(jìn)入全新的1納米時(shí)代。當(dāng)前全球半導(dǎo)體制造版圖中，臺(tái)積電占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)，三星奮力追趕，英特爾則試圖通過(guò)技術(shù)革新實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)。三星希望通過(guò)率先應(yīng)用GAA架構(gòu)來(lái)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手；英特爾則在“五年四個(gè)節(jié)點(diǎn)”戰(zhàn)略驅(qū)動(dòng)下，試圖通過(guò)制程之爭(zhēng)重回巔峰。

目前，臺(tái)積電尚未披露采用其1.4納米制程的客戶(hù)名單。但據(jù)媒體報(bào)道，蘋(píng)果已拿下臺(tái)積電2納米初期半數(shù)以上的產(chǎn)能，用于生產(chǎn)A20和A20 Pro芯片，市場(chǎng)預(yù)計(jì)蘋(píng)果大概率會(huì)再度成為1.4納米的最大客戶(hù)。

半導(dǎo)體先進(jìn)制程的研發(fā)節(jié)奏緊湊，量產(chǎn)一代之際，下一代預(yù)研便已開(kāi)始?？紤]到全球市場(chǎng)對(duì)AI算力的巨大需求，2納米至1.4納米的過(guò)渡間隔或?qū)⒖s短，其量產(chǎn)進(jìn)程或?qū)⑦M(jìn)一步提前。

臺(tái)積電作為全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊，一直以其精準(zhǔn)的時(shí)鐘節(jié)奏著稱(chēng)。此次2納米的量產(chǎn)與1.4納米的推進(jìn)依然如此。最新量產(chǎn)的2納米工藝（N2）采用第一代納米片晶體管架構(gòu)，在能耗與性能上有較大改進(jìn)。相同功耗下性能提升10%—15%，相同性能下功耗降低25%—30%，晶體管密度提升約20%。臺(tái)積電CEO魏哲家表示，2納米良率表現(xiàn)良好，2026年將在智能手機(jī)與AI/HPC需求推動(dòng)下加速產(chǎn)能爬坡。

對(duì)于正在推進(jìn)的1.4納米制程，已釋出的信息顯示，其技術(shù)路線(xiàn)被視為臺(tái)積電“漸進(jìn)式更小節(jié)點(diǎn)”的戰(zhàn)略。一方面繼續(xù)在N2上滾動(dòng)優(yōu)化，另一方面推進(jìn)研發(fā)與產(chǎn)線(xiàn)前置建設(shè)，以便在N2成熟后迅速轉(zhuǎn)入下一代節(jié)點(diǎn)的試產(chǎn)與放量。1.4納米制程或延續(xù)GAA架構(gòu)并引入超級(jí)電軌背面供電技術(shù)，重點(diǎn)優(yōu)化AI芯片與高性能計(jì)算場(chǎng)景的性能表現(xiàn)。目標(biāo)是在2027年前后啟動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2028年前后逐步進(jìn)入量產(chǎn)。