內(nèi)存價格的全面回落,很可能要等到2028年前后。這輪由AI算力需求引爆的漲價潮,已導(dǎo)致全球內(nèi)存供需嚴(yán)重失衡,短期內(nèi)難見根本性扭轉(zhuǎn)。
AI需求吞噬產(chǎn)能
當(dāng)前內(nèi)存漲價的根源,在于AI服務(wù)器對存儲的“黑洞式”吞噬。單臺AI服務(wù)器的內(nèi)存需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的8-10倍,像OpenAI“星際之門”這樣的項目,每月消耗的HBM晶圓量相當(dāng)于傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的3倍。
為了搶占高利潤的AI市場,三星、SK海力士、美光三大巨頭將超90%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向了生產(chǎn)HBM(高帶寬內(nèi)存)。更關(guān)鍵的是,生產(chǎn)同等容量的HBM,其消耗的晶圓面積是DDR5的2.5-3倍,且良率更低。這就好比原本用來種主食的農(nóng)田,被大量改種了經(jīng)濟作物,直接導(dǎo)致普通內(nèi)存的供應(yīng)斷崖式收縮。
產(chǎn)能釋放時間表
價格回落的前提是新增產(chǎn)能跟上,但這需要時間。海外巨頭的擴產(chǎn)計劃大多集中在2027年之后:
三星位于韓國龍仁的新晶圓廠預(yù)計2028年開始量產(chǎn)。
SK海力士在美國印第安納州和韓國清州的新工廠,也要等到2028年底才能完工投產(chǎn)。
美光在新加坡的HBM晶圓廠預(yù)計2027年投產(chǎn),但其在美國紐約的DRAM晶圓廠則要等到2030年才能全面投產(chǎn)。
與此同時,國產(chǎn)存儲力量正在加速“補位”。長鑫存儲計劃在2026年實現(xiàn)HBM3規(guī)模化量產(chǎn),其上海新廠預(yù)計2027年實現(xiàn)量產(chǎn),目標(biāo)是在2027年將DRAM全球份額提升至**10%**以上。TrendForce預(yù)測,2026年下半年HBM產(chǎn)能或逐步釋放,消費級DRAM價格可能回調(diào)15%-20%。
市場分化與波動