全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來(lái)密集突破期技術(shù)迭代與競(jìng)爭(zhēng)加劇(2)

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2026-03-19 10:45:22 搜狐網(wǎng)

薄膜沉積設(shè)備中，原子層沉積（ALD）與化學(xué)氣相沉積（CVD）是先進(jìn)制程與3D存儲(chǔ)的關(guān)鍵裝備。日本TEL和美國(guó)應(yīng)用材料在高精度ALD設(shè)備領(lǐng)域保持領(lǐng)先，沉積均勻性、臺(tái)階覆蓋能力與缺陷控制達(dá)到先進(jìn)水平。國(guó)內(nèi)設(shè)備提速明顯，北方華創(chuàng)CVD設(shè)備形成系列化布局，可覆蓋3D NAND閃存制造需求，已批量交付國(guó)內(nèi)頭部存儲(chǔ)芯片企業(yè)，膜層質(zhì)量、產(chǎn)能效率與運(yùn)行穩(wěn)定性持續(xù)提升。

離子注入機(jī)用于調(diào)控芯片摻雜精度與電學(xué)性能，是功率半導(dǎo)體與先進(jìn)邏輯芯片的必備裝備。國(guó)際上，美國(guó)應(yīng)用材料和日本日新等企業(yè)持續(xù)優(yōu)化注入均勻性、劑量精度與長(zhǎng)期可靠性，滿足先進(jìn)制程與車規(guī)級(jí)芯片嚴(yán)苛要求。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體專用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破，萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通低能大束流離子注入機(jī)已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)與客戶端批量交付，支撐12英寸晶圓廠量產(chǎn)需求，在成熟制程與功率半導(dǎo)體領(lǐng)域形成穩(wěn)定供應(yīng)能力。近日，由中核集團(tuán)中國(guó)原子能科學(xué)研究院自主研制的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)成功出束，核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際水平。華海清科、北方華創(chuàng)、爍科中科信、艾恩半導(dǎo)體也有多款產(chǎn)品相繼推出。

前道輔助設(shè)備呈現(xiàn)多點(diǎn)開花態(tài)勢(shì)。華海清科12英寸CMP設(shè)備在28nm及以上成熟制程實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，14nm關(guān)鍵工藝處于企業(yè)內(nèi)部驗(yàn)證階段；盛美上海的高端清洗設(shè)備解決高深寬比結(jié)構(gòu)清洗中的顆粒污染與金屬污染問(wèn)題，獲得國(guó)內(nèi)頭部存儲(chǔ)廠商訂單；芯源微涂膠顯影設(shè)備通過(guò)國(guó)內(nèi)晶圓廠28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，核心零部件國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升，成為國(guó)內(nèi)前道涂膠顯影環(huán)節(jié)主力供應(yīng)商。2026年全球前道設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)兩大趨勢(shì)：先進(jìn)制程圍繞EUV、原子層刻蝕、高精度ALD展開競(jìng)爭(zhēng)；國(guó)產(chǎn)設(shè)備以成熟制程為突破口，實(shí)現(xiàn)從單點(diǎn)突破向體系化方向發(fā)展。

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