在經(jīng)歷了存儲行業(yè)的深度下行周期后，國產(chǎn)DRAM龍頭長鑫科技正迎來強勁的業(yè)績復蘇。5月17日晚，長鑫科技披露了科創(chuàng)板招股說明書，顯示公司2025年業(yè)績迎來V型反轉(zhuǎn)，從2024年的虧損超過70億元轉(zhuǎn)為全年盈利18.75億元。

在AI算力革命引發(fā)的存儲行業(yè)超級周期中，今年一季度，公司凈利潤突破330億元，超越貴州茅臺，位于當前A股凈利潤排行榜第八，打破了銀行保險能源等對利潤榜的長期“霸榜”。預計2026年上半年，這家存儲巨頭將實現(xiàn)超過千億元營收，歸母凈利潤達到500億至570億元，同比增長2244.03%至2544.19%。

作為我國規(guī)模最大、技術(shù)最先進的DRAM一體化企業(yè)，長鑫科技沖刺科創(chuàng)板計劃募資295億元，主要用于技術(shù)升級和研發(fā)。在全球DRAM市場由三星、SK海力士、美光三家巨頭占據(jù)超九成份額的情況下，長鑫科技的市場份額攀升至全球第四，正通過資本市場的助力加速追趕國際領(lǐng)先水平。

2022年至2023年上半年，DRAM產(chǎn)品庫存水平較高、下游市場需求低迷，行業(yè)處于深度下行周期。2023年下半年，市場開始逐步回暖，產(chǎn)品價格逐步企穩(wěn)回升。2025年，長鑫科技主要DRAM產(chǎn)品銷售單價同比上漲33.69%；2026年第一季度，產(chǎn)品價格延續(xù)快速上漲態(tài)勢，直接帶動營業(yè)收入和毛利率躍升。受全球算力需求持續(xù)增長等因素影響，全球DRAM產(chǎn)品供不應求，價格大幅上漲。

招股書顯示，今年第一季度，長鑫科技迎來業(yè)績爆發(fā)式增長，多項核心財務指標實現(xiàn)顯著提升。截至2026年一季度末，公司資產(chǎn)總額達3881.66億元，較2025年末增長15.26%；凈資產(chǎn)同比增長24.34%至1916.05億元。經(jīng)營層面，2026年一季度，公司實現(xiàn)營業(yè)收入508.00億元，同比增長719.13%。伴隨營收爆發(fā)，公司凈利潤達到330.12億元，同比增幅高達1268.45%，經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量凈額大幅增至425.66億元，同比增幅高達21235.10%。

對于業(yè)績飆升，長鑫科技解釋稱，這主要得益于DRAM行業(yè)產(chǎn)品價格的持續(xù)快速上漲，以及公司自身產(chǎn)銷規(guī)模的增長和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的優(yōu)化。報告期內(nèi)，公司產(chǎn)能持續(xù)建設(shè)，DRAM產(chǎn)品銷量快速增長，DDR系列和LPDDR系列的銷量復合增長率分別高達107.16%和76.93%。

在激烈的全球競爭中，長鑫科技的市場地位穩(wěn)步提升。按2025年第四季度DRAM銷售額統(tǒng)計，長鑫科技全球市場份額已增至7.67%，位列第四。盡管與三星電子、SK海力士、美光科技三家合計超過90%的市場份額相比仍有差距，但這已是國內(nèi)DRAM企業(yè)在國際市場取得的歷史性突破。

為了進一步縮小與國際巨頭的差距，長鑫科技計劃通過本次科創(chuàng)板上市募集資金295億元，主要用于“存儲器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級改造項目”、“DRAM存儲器技術(shù)升級項目”以及“動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項目”。

盡管業(yè)績強勢反彈，但長鑫科技也提示了面臨的風險與挑戰(zhàn)。截至2025年末，公司累計虧損為366.50億元。此外，宏觀經(jīng)濟波動與行業(yè)周期性風險、巨額固定資產(chǎn)與折舊風險、存貨跌價風險也不容忽視。公司股權(quán)結(jié)構(gòu)較為分散，無控股股東和實際控制人，存在決策效率和控制權(quán)變動風險。未來，長鑫科技能否借助資本市場力量，成功穿越周期，實現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，將是市場關(guān)注的焦點。