在當(dāng)前半導(dǎo)體繁榮周期中,長鑫科技集團(tuán)股份有限公司是國內(nèi)最大的DRAM擴(kuò)產(chǎn)主體之一。5月17日更新的科創(chuàng)板IPO招股書顯示,2026年一季度,長鑫科技實現(xiàn)營收508億元,歸母凈利潤247.6億元,并預(yù)計上半年歸母凈利潤為500億至570億元。

同一季度,SK海力士和三星電子存儲芯片業(yè)務(wù)的營收分別為約2700億元和3800億元人民幣。這意味著長鑫科技的季度營收相當(dāng)于SK海力士同期的約五分之一。從業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)來看,長鑫科技主要專注于DRAM,而SK海力士約三成營收來自NAND閃存。因此,長鑫科技在某種程度上正在成為中國版的“海力士”。
全球存儲行業(yè)長期由三星、SK海力士和美光科技主導(dǎo),長鑫科技是近年來最接近行業(yè)頭部位置的新進(jìn)入者。從招股書信息看,長鑫科技能夠完成從DDR4到DDR5的產(chǎn)品切換,并將毛利率從兩年前的-112%提升到40%以上,這需要其背后的供應(yīng)鏈同步支撐。
制造一塊DRAM芯片涉及數(shù)百道工序,每一道工序都需要專用設(shè)備。一位半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的工程師表示,過去國產(chǎn)設(shè)備缺乏量產(chǎn)產(chǎn)線驗證的機(jī)會,而長鑫科技和長江存儲的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)提供了這一機(jī)會。
制造DRAM芯片的主要流程包括薄膜沉積、光刻定義電路圖案、刻蝕去除多余部分、化學(xué)機(jī)械拋光等。這些過程涉及大量專用設(shè)備。一位投資人指出,在DRAM產(chǎn)線的設(shè)備資本開支中,刻蝕和薄膜沉積設(shè)備合計約占50%,其次是光刻設(shè)備,再次是量測檢測設(shè)備。盡管應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)、東京電子等美日廠商仍占據(jù)主要市場份額,但國產(chǎn)設(shè)備在國內(nèi)存儲產(chǎn)線上的滲透率正在快速提升。
目前,長鑫科技的國產(chǎn)設(shè)備占比約為四成到五成。長江存儲武漢三期工廠的國產(chǎn)設(shè)備采購占比已過半,核心工序的國產(chǎn)化率超過60%。但在某些環(huán)節(jié)如量測檢測、涂膠顯影等,國產(chǎn)化率仍然較低。
長鑫科技集團(tuán)股份有限公司(簡稱:“長鑫存儲”)日前更新招股書,準(zhǔn)備在科創(chuàng)板上市
2026-05-17 22:27:14長鑫存儲單季利潤超330億今年最猛IPO尚未登場,合肥的“長鑫效應(yīng)”已提前引爆
2026-05-21 20:54:58投了長鑫科技合肥賺了一個合肥