中國(guó)又一家芯片牛企硬核出世 氮化鎵王者崛起!氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,被譽(yù)為“半導(dǎo)體游戲規(guī)則的改變者”。2015年,前NASA科學(xué)家駱薇薇回國(guó)創(chuàng)業(yè),如今她已成為全球氮化鎵芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍人物。
AI的發(fā)展帶來了用電挑戰(zhàn)與變革。英偉達(dá)決定將數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)從54V直流架構(gòu)升級(jí)到800V高壓直流架構(gòu),以滿足日益增長(zhǎng)的AI算力需求。2023年8月,英偉達(dá)公布了合作伙伴名錄,其中最年輕的入選企業(yè)是中國(guó)的英諾賽科。英諾賽科在官網(wǎng)表示,其第三代氮化鎵GaN芯片具備高頻、高效率與高功率密度等特性,能夠?yàn)橛ミ_(dá)800VDC架構(gòu)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案。
氮化鎵芯片具有高功率、低能耗和體積小的特點(diǎn),適用于AI時(shí)代的數(shù)據(jù)中心。成立于2015年的英諾賽科目前在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額排名第一,市占率達(dá)42.4%。公司創(chuàng)始人駱薇薇曾在NASA工作15年,從項(xiàng)目經(jīng)理做到首席科學(xué)家。2014年,美國(guó)納微半導(dǎo)體成為全球首個(gè)推出氮化鎵功率芯片的公司,駱薇薇認(rèn)為這是中國(guó)實(shí)現(xiàn)芯片趕超的機(jī)會(huì),于是決定回國(guó)創(chuàng)業(yè)。
2015年12月,駱薇薇在珠海高新區(qū)成立了英諾賽科,注冊(cè)資本10億人民幣。盡管面臨研發(fā)難、融資難和建廠難等問題,但她依然充滿信心。駱薇薇選擇了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,設(shè)計(jì)、制造、銷售都掌握在自己手中,解決了氮化鎵芯片大規(guī)模推廣的價(jià)格、量產(chǎn)和供應(yīng)鏈保障問題。公司還決定直接制造領(lǐng)先業(yè)界的8英寸晶圓,這比6英寸晶圓能多產(chǎn)出80%的晶粒,降低成本30%。
經(jīng)過兩年的努力,英諾賽科攻克了多項(xiàng)技術(shù)難關(guān),成功掌握了8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù)和器件制造工藝流程。2017年11月,公司建成了中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產(chǎn)線。2020年夏天,產(chǎn)品良率達(dá)到92%。2021年6月,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體公司舉行了量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式,標(biāo)志著全球最大的氮化鎵生產(chǎn)基地正式投產(chǎn)。