2024年5月2日,國家知識產(chǎn)權(quán)局發(fā)布了一項新專利信息,該專利被臺灣積體電路制造股份有限公司獲得,專利名稱為“半導(dǎo)體裝置”,公告號為CN220873581U。這項專利的申請日期追溯至2023年8月。
專利詳情概述了一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其構(gòu)成要素包括多條導(dǎo)電連接器、多個導(dǎo)電柱,以及三個關(guān)鍵部件:第一半導(dǎo)體裝置、第二半導(dǎo)體裝置和第三半導(dǎo)體裝置。這些導(dǎo)電連接器被巧妙地嵌入中介層內(nèi)的介電層中。其中,一部分導(dǎo)電連接器直接與特定的導(dǎo)電柱相連,而第一半導(dǎo)體裝置則對接另一部分導(dǎo)電連接器。第二和第三半導(dǎo)體裝置則分別直接與那些導(dǎo)電柱建立物理接觸,形成了一個復(fù)雜而高效的互連系統(tǒng)。
臺積電于6月18日就先進制程漲價的市場傳聞作出回應(yīng)。據(jù)傳,臺積電計劃在下半年商討提升5納米、3納米及未來2納米制程的價格,可能的漲價措施預(yù)計自2025年起實施
2024-06-18 13:30:05臺積電回應(yīng)下半年漲價傳聞ASML計劃在今年內(nèi)向臺積電提供其最尖端的光刻機,每臺設(shè)備的造價高達(dá)3.8億美元。這一消息透露出半導(dǎo)體制造技術(shù)的最新進展
2024-06-07 18:15:06臺積電獲最先進光刻機