日本芯片制造商Rapidus宣布啟動2nm晶圓的測試生產(chǎn),預計2027年正式進入量產(chǎn)階段。在Rapidus位于日本的IIM-1廠區(qū),已經(jīng)展開了對采用2nm全環(huán)繞柵極架構(GAA)晶體管技術的測試晶圓進行原型制作。
公司確認早期測試晶圓已達到預期的電氣特性,這意味著其晶圓廠工具運作正常,制程技術開發(fā)進展順利。原型制作是半導體生產(chǎn)中的一個重要里程碑,旨在驗證使用新技術制造的早期測試電路是否可靠、高效并達到性能目標。目前,Rapidus正在測量其測試電路的電氣特性,包括臨界電壓、驅(qū)動電流、漏電流、次臨界斜率、開關速度、功耗和電容等參數(shù)。
自2023年9月動工以來,Rapidus的IIM-1廠區(qū)建設進展順利,無塵室于2024年完成,截至2025年6月已連接超過200套設備,其中包括先進的DUV和EUV光刻工具。此前,有觀點認為日本本國的半導體產(chǎn)業(yè)在中國臺灣地區(qū)和韓國半導體產(chǎn)業(yè)多年競爭后,老舊產(chǎn)線基本退出,僅剩少數(shù)設備仍在運行。在臺積電大規(guī)模投資日本工廠之前,日本連量產(chǎn)40nm制程芯片都難以實現(xiàn),在制程領域甚至落后于中國大陸。
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