此外,自去年三季度起,存儲(chǔ)芯片廠商將部分傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、HBM等更高利潤(rùn)的產(chǎn)品。三大DRAM制造商之一的SK海力士預(yù)計(jì),到2026年,HBM晶圓加工量將占其所有產(chǎn)品晶圓加工量的最大比重。這導(dǎo)致DDR4、LPDDR4X等舊制程DRAM產(chǎn)品存在產(chǎn)能短缺問題。
隨著供需失衡,DDR4、LPDDR4X價(jià)格自二季度起開啟漲價(jià)潮,并將持續(xù)至年底。TrendForce預(yù)計(jì),由于三大DRAM原廠優(yōu)先分配先進(jìn)制程產(chǎn)能給高階服務(wù)器DRAM和HBM,今年四季度舊制程DRAM價(jià)格漲幅將依舊可觀,整體價(jià)格將環(huán)比增長(zhǎng)8%~13%,HBM價(jià)格環(huán)比增長(zhǎng)13%~18%。
A股市場(chǎng)對(duì)此輪“超級(jí)周期”反應(yīng)熱烈。Wind數(shù)據(jù)顯示,存儲(chǔ)器指數(shù)近一周區(qū)間漲跌幅為11.84%。截至10月30日,近一周以來,江波龍、普冉股份、大為股份累計(jì)漲幅居前。國內(nèi)廠商正加速擁抱AI,有的聚焦HBM、DDR5等高附加值領(lǐng)域,如賽騰股份通過收購日本Optima掌握HBM全制程量測(cè)技術(shù)。兆易創(chuàng)新逐步從低端NOR Flash產(chǎn)品拓展到NAND Flash和全線利基型DRAM產(chǎn)品,并向MCU延伸,股價(jià)近期突破歷史最高值。
國元證券研究認(rèn)為,長(zhǎng)鑫產(chǎn)能的持續(xù)釋放將進(jìn)一步帶動(dòng)公司在Dram業(yè)務(wù)上的出貨,市場(chǎng)利基型DDR需求保持旺盛,四季度仍具有一定的價(jià)格上升空間。江波龍近期發(fā)布了與HBM應(yīng)用互補(bǔ)的創(chuàng)新內(nèi)存SOCAMM2產(chǎn)品,能顯著降低AI推理延遲。企業(yè)前三季度財(cái)報(bào)表現(xiàn)樂觀,營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)26.12%,歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)27.95%。
除了A股市場(chǎng)的股價(jià)狂漲和業(yè)績(jī)超預(yù)期,長(zhǎng)鑫科技、長(zhǎng)江存儲(chǔ)這兩家正在打開資本市場(chǎng)大門的公司也給市場(chǎng)帶來想象空間。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將重點(diǎn)推進(jìn)3D NAND芯片產(chǎn)能爬坡,力爭(zhēng)到2026年占據(jù)全球NAND閃存市場(chǎng)15.00%的份額。長(zhǎng)鑫科技子公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)近期宣布已量產(chǎn)高端移動(dòng)存儲(chǔ)芯片LPDDR5X產(chǎn)品,覆蓋最高達(dá)10667Mbps速率,達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。