EUV光刻膠:大批量生產(chǎn)仍待突破!EUV光刻膠大批量生產(chǎn)尚未完成。由比利時研究機(jī)構(gòu)imec主辦的ITF日本2025論壇于11月10日在東京君悅酒店舉行。在新聞發(fā)布會上宣布,現(xiàn)任首席執(zhí)行官盧克·范登霍夫?qū)⒂?026年4月1日成為董事長,帕特里克·范德納米爾將接任首席執(zhí)行官。
范登霍夫自imec創(chuàng)立之初便給予支持,并自2009年起擔(dān)任首席執(zhí)行官,為imec如今的地位做出了卓越貢獻(xiàn)。他被譽(yù)為“引領(lǐng)全球先進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)展路線圖”的關(guān)鍵人物。自2025年4月起,他將擔(dān)任董事長,負(fù)責(zé)監(jiān)督imec的政治、外交和技術(shù)戰(zhàn)略,并致力于支持imec的未來愿景和國際影響力。
新任首席執(zhí)行官范德納米爾擁有多年經(jīng)驗,曾擔(dān)任imec執(zhí)行副總裁,全面負(fù)責(zé)研發(fā)工作。他有望延續(xù)范登霍夫的愿景,成為一位“擁有深厚技術(shù)背景的首席執(zhí)行官”,并進(jìn)一步鞏固先進(jìn)工藝研究的實際應(yīng)用和國際合作體系。
三井化學(xué)代表董事、高級常務(wù)執(zhí)行董事兼ICT解決方案事業(yè)部總經(jīng)理平原昭夫作了題為“化學(xué)與合作:促進(jìn)未來半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)”的報告。平原昭夫提到光罩是極紫外(EUV)曝光技術(shù)面臨的主要挑戰(zhàn)之一。盡管ASML在過去十年中已交付超過300臺EUV曝光設(shè)備,但EUV光刻膠仍存在諸多技術(shù)難題,目前尚未開發(fā)出符合大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用規(guī)格的光刻膠。因此,許多半導(dǎo)體制造商仍在不使用光刻膠的情況下進(jìn)行EUV曝光。
EUV光刻膠的作用是通過防止異物粘附在光刻膠表面來保護(hù)光罩。如果顆粒粘附在光罩本身上,其陰影會在曝光過程中投射到晶圓上的光刻膠上,從而造成缺陷。但如果顆粒粘附在覆蓋在光罩上的保護(hù)膜上,則不會在晶圓上造成缺陷。換句話說,保護(hù)膜的主要作用是保護(hù)光罩免受顆粒的侵害。
隨著技術(shù)節(jié)點進(jìn)一步微縮至1.4納米及1納米,臺積電面臨新的制造瓶頸。該公司決定放棄采購單價高達(dá)4億美元的ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)
2025-10-23 17:27:13曝臺積電放棄采購ASML頂級光刻機(jī)