自ASML于2016年首次發(fā)布其EUV曝光工具以來,已經(jīng)過去了十年。在過去的十年里,該公司已出貨300多臺設(shè)備,可以說EUV已成為半導體制造領(lǐng)域的主要參與者。臺積電對EUV光刻技術(shù)的廣泛應(yīng)用便是最好的例證。2019年,EUV光刻技術(shù)首次應(yīng)用于7nm+工藝的量產(chǎn),當時僅應(yīng)用于約五層半導體。幾年后,在3nm工藝時代,這一數(shù)字大幅增長至20層以上。EUV光刻技術(shù)已成為決定尖端半導體良率和性能的關(guān)鍵因素。
然而,雖然EUV技術(shù)越來越普及,但仍有一些問題不容忽視。目前市面上還沒有符合尖端半導體制造商標準的光刻膠薄膜。一些半導體制造商可能在沒有光刻膠薄膜的情況下進行極紫外光刻曝光,并反復清洗光刻膠。這在如今尖端邏輯電路需要20層極紫外光刻技術(shù)的時代,極其不合理。光刻膠污染會直接影響良率,而反復清洗則會降低生產(chǎn)效率。
除了三井化學之外,芬蘭的Canatu、韓國的FST、韓國的S&STech、日本的Lintec和日本的NGK Insulators也在繼續(xù)尋找下一代光刻膠的解決方案。目前尚無法預(yù)測哪家機構(gòu)最終能夠研發(fā)出可供量產(chǎn)的極紫外光刻薄膜。每家公司都仍有機會。隨著極紫外光刻需求的爆炸式增長,主導這一市場的影響將是不可估量的。在未來,各組織將運用哪些技術(shù)才能脫穎而出?我們將繼續(xù)密切關(guān)注這些發(fā)展動態(tài)。
隨著技術(shù)節(jié)點進一步微縮至1.4納米及1納米,臺積電面臨新的制造瓶頸。該公司決定放棄采購單價高達4億美元的ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機
2025-10-23 17:27:13曝臺積電放棄采購ASML頂級光刻機光刻機在芯片制造中扮演著關(guān)鍵角色,荷蘭ASML在這一領(lǐng)域占據(jù)主導地位,尤其是其EUV設(shè)備幾乎壟斷了高端市場,DUV設(shè)備也占據(jù)了大部分市場份額
2025-11-12 08:43:42荷蘭ASML光刻機市場遇冷