花旗集團(tuán)近期發(fā)布報(bào)告稱，在全球AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期的背景下，半導(dǎo)體設(shè)備廠商特別是阿斯麥、泛林集團(tuán)和應(yīng)用材料這三大巨頭將受益最大。花旗預(yù)測，繼2024-25年的超級(jí)牛市之后，全球半導(dǎo)體設(shè)備板塊將迎來新一輪牛市。

花旗分析師團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，隨著AI芯片與存儲(chǔ)芯片需求激增，臺(tái)積電、三星電子、英特爾及SK海力士等芯片制造巨頭將在未來財(cái)報(bào)中上調(diào)2026年及以后的資本支出指引，從而推動(dòng)2026年全球晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備支出接近最樂觀預(yù)測。

美股半導(dǎo)體設(shè)備板塊自年初以來表現(xiàn)強(qiáng)勁。阿斯麥股價(jià)在2026年初創(chuàng)下歷史新高，開年以來漲幅達(dá)16%，市值接近5000億美元；泛林集團(tuán)股價(jià)也屢創(chuàng)新高，年初以來上漲20%；應(yīng)用材料股價(jià)同樣屢創(chuàng)新高，年初以來漲幅達(dá)15%。

美光科技已在2025年12月的業(yè)績電話會(huì)議上將2026財(cái)年資本開支從180億美元上調(diào)至200億美元，同比增長45%。這一舉措可能促使三星電子和SK海力士采取相應(yīng)擴(kuò)張行動(dòng)以維持市場地位。

臺(tái)積電的產(chǎn)能擴(kuò)張不僅受到英偉達(dá)、AMD、博通等AI芯片領(lǐng)軍者帶來的數(shù)據(jù)中心訂單以及蘋果公司的消費(fèi)電子訂單推動(dòng)，還面臨高性能SSD領(lǐng)域的需求壓力。谷歌推出Gemini3 AI應(yīng)用后，其AI算力需求激增，進(jìn)一步驗(yàn)證了AI熱潮處于早期建設(shè)階段。

微軟、谷歌和Meta等科技巨頭主導(dǎo)的超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)進(jìn)程愈發(fā)火熱，推動(dòng)3nm及以下先進(jìn)制程AI芯片擴(kuò)產(chǎn)與CoWoS/3D先進(jìn)封裝產(chǎn)能、DRAM/NAND存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張加速。摩根士丹利、花旗、Loop Capital和Wedbush認(rèn)為，以AI算力硬件為核心的全球人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資浪潮遠(yuǎn)未結(jié)束，預(yù)計(jì)將持續(xù)到2030年，規(guī)模可能達(dá)到3萬億至4萬億美元。

花旗報(bào)告指出，2026年的芯片股主線投資策略應(yīng)聚焦于半導(dǎo)體設(shè)備龍頭領(lǐng)域。花旗預(yù)測2026年全球WFE市場規(guī)模約為1150億美元，同比增加10%。尤其是臺(tái)積電，花旗預(yù)計(jì)其2026年資本支出區(qū)間為460-480億美元，并可能大幅上修。

AI基建狂潮推動(dòng)的“算力—存儲(chǔ)—先進(jìn)芯片制造”鏈條決定了半導(dǎo)體設(shè)備資本支出粘性比以往更強(qiáng)?；ㄆ炷Ｐ惋@示NAND增長30%、DRAM增長12%、Foundry/Logic增長10%，說明2026年不僅是AI算力板塊托舉，還有更均衡的先進(jìn)芯片制程擴(kuò)張，利好覆蓋面廣、產(chǎn)品組合完整的半導(dǎo)體設(shè)備龍頭。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)計(jì)，2026年全球半導(dǎo)體市場總價(jià)值將達(dá)到9755億美元，同比增長26%。這種連續(xù)兩年的強(qiáng)勁增長主要得益于AI GPU主導(dǎo)的邏輯芯片領(lǐng)域以及HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)、DDR5 RDIMM與企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心SSD所主導(dǎo)的存儲(chǔ)領(lǐng)域持續(xù)強(qiáng)勁的需求。

花旗分析師表示，“Phase 2 上行周期”意味著估值錨從“估值觸底修復(fù)”轉(zhuǎn)向“盈利持續(xù)上修”。阿斯麥、泛林集團(tuán)和應(yīng)用材料覆蓋了光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進(jìn)封裝設(shè)備，這些領(lǐng)域受益于AI基建狂潮與存儲(chǔ)超級(jí)周期。阿斯麥的EUV/High-NA EUV設(shè)備是先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)的關(guān)鍵，而應(yīng)用材料和泛林集團(tuán)則在HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)和先進(jìn)封裝方面具備顯著優(yōu)勢。