BCD工藝站上風(fēng)口 需求旺盛訂單滿。近日,中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在2026年一季度財報說明會上強調(diào),車規(guī)模擬BCD平臺需求旺盛、訂單飽滿,公司正將產(chǎn)能持續(xù)向BCD、存儲等需求旺盛的平臺傾斜。這一發(fā)言再次點燃了半導(dǎo)體行業(yè)對這項成熟工藝的關(guān)注。
從2025年底至今,BCD漲價的消息在圈內(nèi)持續(xù)發(fā)酵。中芯國際、華虹、世界先進、聯(lián)電等行業(yè)主要晶圓代工廠紛紛對8英寸BCD工藝代工價格進行調(diào)整,漲幅普遍在10%-15%之間,市場甚至將這股勢頭稱為BCD工藝的全面搶購潮。
在先進制程競賽愈演愈烈的當(dāng)下,這項誕生于40年前的“老工藝”突然成為晶圓廠爭相搶占的高價值產(chǎn)能。它為何能在AI算力革命和新能源汽車普及的浪潮中站在舞臺中央?
BCD工藝,全稱Bipolar-CMOS-DMOS工藝,是一種將雙極型晶體管(Bipolar)、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)集成在同一芯片上的混合工藝技術(shù)。在BCD技術(shù)問世前,電源管理、電機驅(qū)動等系統(tǒng)面臨多芯片分立方案,導(dǎo)致體積龐大、成本高昂且可靠性降低。BCD工藝的核心理念是讓這三種性能迥異的器件在同一顆芯片上協(xié)同工作,各司其職。
BCD工藝實現(xiàn)了從多芯片拼湊到單芯片系統(tǒng)的跨越,實現(xiàn)了模擬感知+數(shù)字控制+功率執(zhí)行的全功能集成。相比傳統(tǒng)分立方案,BCD工藝的優(yōu)勢是系統(tǒng)性的,實現(xiàn)了更高效率、更小系統(tǒng)體積、更低損耗和更高可靠性的整體躍升,成為連接高壓功率驅(qū)動端與低壓數(shù)字控制端的底層支撐技術(shù)。
1985年前后,意大利SGS微電子(意法半導(dǎo)體ST前身)攻克工藝兼容難題,研制出全球首套BCD工藝,并推出首款產(chǎn)品L6202電機全橋驅(qū)動器。如今,BCD技術(shù)已發(fā)展到40納米乃至更先進節(jié)點。意法半導(dǎo)體目前已開發(fā)至第九代0.11微米BCD工藝和第十代90納米工藝。華虹半導(dǎo)體提供覆蓋1.8V至700V的BCD工藝平臺,芯聯(lián)集成則擁有國內(nèi)最完整的車規(guī)級BCD工藝體系,覆蓋55納米至0.18微米工藝節(jié)點,支持5V至650V的高壓應(yīng)用。
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