在DRAM的技術(shù)版圖上,HBM(高帶寬存儲)是專為AI加速芯片設(shè)計的堆疊式內(nèi)存。HBM的技術(shù)壁壘遠(yuǎn)高于普通DRAM,目前市場幾乎被三星和SK海力士把持。對長鑫而言,HBM是當(dāng)前技術(shù)圖譜中最關(guān)鍵的缺口,其戰(zhàn)略價值在于承接AI時代最高附加值的DRAM需求。追趕者的困境不僅在于彌合已有的差距,更在于如何在對方還在高速奔跑的情況下,持續(xù)縮小相對距離。
此外,供應(yīng)鏈的外部不確定性也是一個重要議題。DRAM制造高度依賴精密光刻設(shè)備、特種氣體等核心耗材,全球供應(yīng)鏈高度集中,部分關(guān)鍵環(huán)節(jié)的替代選項極為有限。此次募資中,130億用于DRAM技術(shù)升級,90億用于前瞻技術(shù)研發(fā)。長鑫需要同時賺現(xiàn)在的錢,同時為下一個技術(shù)臺階燒未來的錢,這是所有追趕者在接近前沿時都必須面對的兩難。
2016年,一家中國公司決定從零開始做DRAM。不到十年之后,長鑫科技坐到了全球第四的位置,單季凈利潤已經(jīng)超過2025年全年凈利潤的十倍。無論從哪個角度看,這都是一個值得認(rèn)真記錄的工業(yè)成就。但成功從來不是一次性的,它需要在每一個技術(shù)迭代的節(jié)點上。長鑫當(dāng)下的成績在很大程度上得益于AI超級周期、國產(chǎn)替代需求以及前期研發(fā)積累三者的同頻共振。這種共振不會永遠(yuǎn)持續(xù)。當(dāng)市場重新進(jìn)入下行周期,當(dāng)HBM賽道的技術(shù)分水嶺愈發(fā)清晰,長鑫能否在那個時點仍然保持足夠的競爭力,將是這家公司真正的歷史性考驗。這場考驗尚未到來,但它一定會來。
今年最猛IPO尚未登場,合肥的“長鑫效應(yīng)”已提前引爆
2026-05-21 20:54:58投了長鑫科技合肥賺了一個合肥