美國的舉措為中國本土半導(dǎo)體企業(yè)提供了發(fā)展機遇。存儲國產(chǎn)化的窗口再次打開,國產(chǎn)存儲廠商長江存儲、長鑫存儲獲得了更明確的市場缺口和發(fā)展機遇。長江存儲的128層3D NAND閃存已通過華為、小米等客戶驗證,良品率突破90%。長鑫存儲的19nm DRAM芯片實現(xiàn)了量產(chǎn),填補了國內(nèi)空白。在設(shè)備領(lǐng)域,中微公司的5nm蝕刻機、北方華創(chuàng)的PVD沉積設(shè)備等核心裝備正在加速替代應(yīng)用材料、泛林等美國企業(yè)的產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示,2024年中國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率已從2018年的5%提升至28%,預(yù)計2025年將突破35%。這些進展表明,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主能力正在逐步提升。
美國對華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的打壓經(jīng)歷了從貿(mào)易措施到技術(shù)封鎖的過程。2018-2020年間,特朗普政府對中國半導(dǎo)體產(chǎn)品加征關(guān)稅,隨后將華為、中芯國際等企業(yè)列入實體清單,實施技術(shù)出口管制。2021-2023年,拜登政府通過《芯片與科學(xué)法案》進一步強化限制,一方面提供巨額補貼本土半導(dǎo)體制造,另一方面禁止受助企業(yè)在華擴建先進晶圓廠,并聯(lián)合日本、荷蘭等盟友限制關(guān)鍵設(shè)備對華出口。到2024-2025年,美國政府的打壓措施甚至延伸至“傳統(tǒng)制程”,限制美國人士在華晶圓廠任職,并通過“芯片四方聯(lián)盟”構(gòu)建多邊圍堵體系。此次撤銷VEU授權(quán)是這一系列行動的最新升級。
美國此次決策背后有多重戰(zhàn)略考量。一是出于國家安全擔(dān)憂,擔(dān)心外資在華晶圓廠可能存在技術(shù)泄露的風(fēng)險。二是為了鞏固經(jīng)濟優(yōu)勢,通過向三星和SK海力士施壓,美國意圖加速供應(yīng)鏈從中國轉(zhuǎn)移,鼓勵產(chǎn)能轉(zhuǎn)向美國、韓國或日本等盟友,以應(yīng)對中國在成熟制程領(lǐng)域的成本與產(chǎn)能優(yōu)勢。三是保持技術(shù)霸權(quán),美國意圖通過“小院高墻”策略遏制中國在AI、超算等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)進步,維持其全球技術(shù)主導(dǎo)地位。選擇在韓美峰會后宣布這一決定,也暗示可能與韓國存在協(xié)調(diào)或利益交換。
臺積電9月2日宣布,自明年起,美國政府將撤銷該公司向其中國大陸工廠運送關(guān)鍵設(shè)備的豁免。路透社和彭博社報道指出,此舉可能削弱臺積電工廠的生產(chǎn)能力,導(dǎo)致交付延誤
2025-09-03 10:43:54臺積電在華工廠豁免將被美國撤銷