1納米大戰(zhàn)打響 臺積電A14工藝領(lǐng)跑!全球最大的晶圓代工廠臺積電確認其繼2nm工藝之后的下一代工藝命名為“A14”,并公布了詳細的路線圖,目標是在2027年實現(xiàn)試生產(chǎn)。臺積電正式宣布其1.4nm級超精細工藝“A14”的發(fā)布日期,以應對來自英特爾和三星電子的激烈競爭。臺積電正在臺灣中部科學園區(qū)建設一座新的晶圓廠,投資額約為490億美元。該晶圓廠預計將于2027年底進行試生產(chǎn),并于2028年開始全面量產(chǎn)。
A14工藝基于臺積電第二代納米片晶體管架構(gòu)。與2nm工藝相比,在相同功耗水平下,性能提升15%,而功耗最多可降低30%。邏輯密度提升超過20%,能夠制造更小巧、更高效的AI加速器和移動芯片組。臺積電計劃在A14工藝的初期階段利用現(xiàn)有的“低數(shù)值孔徑EUV”設備應用多重曝光技術(shù),確保良率和成本效益。隨后,在2027年第三季度左右,逐步引入ASML的下一代“高數(shù)值孔徑EUV”設備,實現(xiàn)技術(shù)進步。
業(yè)界預計,A14工藝將成為2028年發(fā)布的iPhone 20(暫定名)以及下一代AI服務器芯片組的關(guān)鍵生產(chǎn)基地。三星電子已將其1.4nm工藝的量產(chǎn)目標調(diào)整至2029年,而臺積電通過確認2027年試生產(chǎn)和2028年量產(chǎn)的計劃,在先進制造工藝的競爭中占據(jù)了優(yōu)勢地位。分析師指出,臺積電將工藝命名為“A14”,標志著埃格斯特朗時代的開啟。鑒于人工智能的蓬勃發(fā)展,能效已成為半導體性能的關(guān)鍵指標,臺積電的低功耗、高能效工藝路線圖將產(chǎn)生強大的“鎖定”效應,從而留住蘋果和英偉達等主要客戶。
臺積電業(yè)務發(fā)展及全球銷售高級副總裁兼副首席運營Kevin Zhang表示,A14是一項全新的工藝技術(shù),基于公司第二代GAAFET納米片晶體管和新的標準單元架構(gòu),旨在實現(xiàn)性能、功耗和尺寸縮放方面的優(yōu)勢。與N2工藝相比,A14工藝在相同功耗和復雜度下可實現(xiàn)10%至15%的性能提升,在相同頻率和晶體管數(shù)量下功耗降低25%至30%,晶體管密度提高20%至23%。由于A14是一個全新的工藝節(jié)點,因此需要全新的IP、優(yōu)化和EDA軟件。A14還采用了NanoFlex Pro技術(shù),使設計人員能夠以非常靈活的方式設計產(chǎn)品,實現(xiàn)最佳的功率性能優(yōu)勢。臺積電計劃在2029年推出帶有SPR背面供電的A14工藝。
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